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NMOS管交叉耦合的能量回收电路设计  
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【英文篇名】 Energy recovery circuit based on NMOS transistor cross coupling logic
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【作者】 师建英; 许衍彬; 刘磊; 门晋喜;
【英文作者】 SHI Jianying; XU Yanbin; LIU Lei; MEN Jinxi; Electronic Information Engineering College; Hebei University; Department of Electrical Engineering; Hebei College of Science and Technology; Department of Radio Navigation; 95866 PLA Troops;
【作者单位】 河北大学电子信息工程学院; 河北科技学院机电系; 95866部队无线电导航教研室;
【文献出处】 河北大学学报(自然科学版) , Journal of Hebei University(Natural Science Edition), 编辑部邮箱 2016年 03期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 NMOS管交叉耦合; NCCL; NCCL JK触发器; 低功耗;
【英文关键词】 NMOS transistor cross coupling; NCCL; NCCL JK flip-flop; low power consumption;
【摘要】 对NMOS(N-metal oxide semiconductor)管交叉耦合逻辑(NMOS-transistor cross coupling logic,NCCL)的能量回收电路进行了研究,PMOS(P-metal oxide semiconductor)管作为输入管来降低纳米CMOS工艺中栅氧化层上的漏电流以减小功耗;在此基础上实现了绝热JK触发器电路.在90nm CMOS BSIM3工艺模型下,用HSPICE对NCCL反相器及其JK触发器进行了模拟分析,结果表明NCCL反相器的工作频率可达到1GHz;与ECRL(efficient charge recovery logic)反相器相比,当负载电容、时钟频率和电源电压中某一参数变化时,NCCL的功耗都出现不同程度的降低;在相同的工作条件下NCCL JK触发器的功耗约为ECRL的50%.
【英文摘要】 The energy recovery circuit based on NMOS(N-Metal Oxide Semiconductor)-transistor cross coupling logic(NCCL)is studied.PMOS(P-Metal Oxide Semiconductor)transistors are used as the input tube to reduce the leakage current on the oxide gate layer in nanometer CMOS process.NCCL JK flip-flop is constructed by these techniques.The circuits are simulated by HSPICE in 90 nm CMOS BSIM3 process,and the simulation results show that NCCL inventor's operation frequency can reach to 1GHz.Compared with the ECRL(Efficient...
【基金】 国家杰出青年基金资助项目(61204079); 河北省自然科学基金资助项目(F2013201196); 保定市科学技术研究与发展指导计划项目(14GZ036); 河北省科技计划自筹经费项目(15210409)
【更新日期】 2016-06-01
【分类号】 TN386
【正文快照】 自从CMOS器件工艺进入纳米尺寸之后,功耗问题已经成为了特别重要的问题[1].从电路角度考虑,典型的降低功耗的方法是器件尺寸的减小、互连线的优化、栅极时钟结构、多电源技术和动态控制供电电源等[2].然而随着人们对便携式电脑、无线传感器和生物医学电子设备需求的增加,传统的

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