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晶粒尺寸和膜厚对磁控溅射法制备Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜介电性能的影响(英文)  
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【英文篇名】 Effects of Grain Size and Film Thickness on Dielectric Properties of Bi(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7 Thin Films Prepared by Radio-Frequency Magnetron Sputtering
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【作者】 晏子敬; 吕忆农; 刘云飞; 高虹; 马成建; 蒋晓威;
【英文作者】 YAN Zijing; LU Yinong; LIU Yunfei; GAO Hong; MA Chengjian; JIANG Xiaowei; State Key Laboratory of Materials-Oriented Chemical Engineering; College of Materials Science and Engineering; Nanjing Tech University; Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM);
【作者单位】 南京工业大学材料科学与工程学院材料化学工程国家重点实验室; 江苏先进生物与化学制造协同创新中心;
【文献出处】 硅酸盐学报 , Journal of the Chinese Ceramic Society, 编辑部邮箱 2016年 09期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 铌镁酸铋薄膜; 磁控溅射; 晶粒尺寸; 膜厚; 介电性能; 调谐率;
【英文关键词】 bismuth magnesium niobium thin film; magnetron sputtering; grain size; thickness; dielectric properties; tunability;
【摘要】 采用磁控溅射法在Pt/Ti/Si O2/Si基底上制备立方焦绿石结构Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜。通过控制750℃下后退火时间来控制薄膜的平均晶粒尺寸,用沉积时间控制膜厚。研究不同晶粒尺寸和膜厚对BMN薄膜相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,当BMN薄膜平均晶粒尺寸为45 nm、膜厚为430 nm时,薄膜介电性能提高显著,1 MHz下介电常数为112.4,介电损耗为0.001 82,在0.93 MV/cm外加电场条件下,介电调谐率为27.7%。
【英文摘要】 Bi1.5Mg Nb1.5O7(BMN) thin films with a cubic pyrochlore structure were prepared on Pt/Ti/Si O2/Si substrates via radio-frequency(RF) magnetron sputter deposition. The grain size and thickness of the thin films were controlled via the change of post-annealing time at 750 ℃ and the sputtering time, respectively. The effects of grain size and film thickness on the phase compositions, microstructures and dielectric properties of BMN thin films were investigated. As the average grain size and thickness of BMN th...
【基金】 江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD); 长江学者和创新团队发展计划(IRT1146)资助
【更新日期】 2016-11-07
【分类号】 TB383.2
【正文快照】 YAN Zijing1,LU Yinong1,2,LIU Yunfei1,2,GAO Hong1,MA Chengjian1,JIANG Xiaowei1(1.State Key Laboratory of Materials-Oriented Chemical Engineering,College of Materials Science and Engineering,Nanjing TechUniversity,Nanjing 210009,China;2.Jiangsu National Syn

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