节点文献

SiO2膜背封片边缘剥离工艺进展

Technology Development of Stripping Edge of Silica Film on Back-seal Silicon Wafer

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 高丹佟丽英

【Author】 GAO Dan;TONG Li-ying;The 46th Research Institute of CETC;

【机构】 中国电子科技集团公司第46研究所

【摘要】 背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一,由于硅片背面边缘沉积的Si O2膜,在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中,因此越来越多的外延厂家要求对背封片Si O2膜进行边缘剥离,主要介绍了几种边缘剥离的方法,并对其各自的特点进行了分析。

【Abstract】 Back-seal technology is one of the key technologies preparing epitaxial substrate material. Silica film on the edge of wafer will cause the deposition of polysilicon particles and the concentration of stress in the epitaxial process. So the epitaxial manufactures require striping edge of silica film deposited on the back of wafer. Mainly introduce several methods of stripping edge, and analyze their characteristics.

【关键词】 背封酸腐蚀边缘剥离元
【Key words】 back-sealacid corrosionedge stripping
  • 【文献出处】 电子工艺技术 ,Electronics Process Technology , 编辑部邮箱 ,2016年04期
  • 【分类号】TN405
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】129
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络