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纳米MOSFET器件电流噪声测试方法研究  
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【英文篇名】 Current noise measurement methods in nano-MOSFET
【下载频次】 ★★★★
【作者】 贾晓菲; 陈文豪; 丁兵; 何亮;
【英文作者】 JIA Xiaofei; CHEN Wenhao; DING Bing; HE Liang; Department of Electronic and Information Engineering; Ankang University; Southwest China Institute of Electronic Technology; Advanced Materials and Nano Technology School; Xidian University;
【作者单位】 安康学院电子与信息工程学院; 中国西南电子技术研究所; 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院;
【文献出处】 电子元件与材料 , Electronic Components and Materials, 编辑部邮箱 2016年 12期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 纳米MOSFET; 噪声测试; 低温装置; 电流噪声; 散粒噪声; 热噪声;
【英文关键词】 nano-MOSFET; noise measurement; low temperature device; current noise; shot noise; thermal noise;
【摘要】 针对常规纳米尺度电子元器件的噪声特性,研究其噪声的基本测试条件,并建立测试系统。在屏蔽条件下采用低温装置和超低噪声前置放大器,能有效抑制外界干扰。应用该系统对实际纳米MOSFET器件进行噪声测试得到其电流噪声,在测试基础上通过计算分别得到热噪声和散粒噪声,同时分析器件工作在亚阈区和反型区下的电流噪声随源漏电压和电流的变化关系。结果表明测试结果与理论分析吻合,验证了测试系统的准确性。
【英文摘要】 Noise performance of regular nano-scale electronic components was studied to analyze the basic noise testing conditions and establish the noise testing system. Taking low temperature and ultra-low noise preamplifier under shielding conditions can effectively suppress external interference. This system was used to test current noise in the actual nano-MOSFET devices, on the basis of which thermal noise and shot noise were respectively calculated and current noise was analyzed with variation of the source-dra...
【基金】 国家自然科学基金重点项目(No.61076101); 陕西省教育厅科学研究计划项目(No.16JK1016)
【更新日期】 2016-12-13
【分类号】 TN386
【正文快照】 近些年来,随着介观物理与纳米电子学的发展,对电子元器件噪声及测试技术研究已成熟。众所周知,噪声可表征纳米尺度电子元器件内部载流子的传输特性[1-2]。随着器件尺寸的不断缩小,对于纳米尺度的MOSFET器件,其载流子的输运已由传统的漂移-扩散输运逐渐转为准弹道或者弹道输运,?

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