中国学术期刊网络出版总库
  关闭
300mm硅晶圆粗抛速率优化  
   推荐 CAJ下载 PDF下载
【英文篇名】 Optimization of the Fast Polishing Removal Rate for 300 mm Silicon Wafers
【下载频次】 ★★★★★
【作者】 张文倩; 刘玉岭; 王辰伟; 洪姣; 王娟; 栾晓东;
【英文作者】 Zhang Wenqian; Liu Yuling; Wang Chenwei; Hong Jiao; Wang Juan; Luan Xiaodong; School of Electronic Information Engineering; Hebei University of Technology; Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices;
【作者单位】 河北工业大学电子信息工程学院; 天津市电子材料与器件重点实验室;
【文献出处】 微纳电子技术 , Micronanoelectronic Technology, 编辑部邮箱 2016年 11期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 硅晶圆; 化学机械抛光(CMP); 粗抛液; 温度; 使用寿命;
【英文关键词】 silicon wafer; chemical mechanical polishing(CMP); fast polishing slurry; temperature; lifetime;
【摘要】 针对直径300 mm硅晶圆的粗抛,研究了不同稀释比例的FA/O型硅片粗抛液对硅去除速率的影响,发现按1∶30的体积比稀释时硅片背面去除速率偏低。通过深入分析1∶30的稀释体积比下温度与硅去除速率的关系,对抛光液和工艺进行调整优化,提高了硅片去除速率。优化结果表明,硅晶圆背面和正面抛光的启动温度和最高温度均上升了约1℃,同时5.5 min内背面去除量由3.34μm增至3.67μm,15 min内正面去除量由10.075μm提高到12.285μm,均满足工业要求。进而对抛光液循环使用寿命进行了验证,结果表明FA/O型硅粗抛液使用寿命可达300 min,有利于降低生产成本。
【英文摘要】 The effect of different dilution ratios of the FA/O fast polishing slurry on the removal rate for the fast polishing of 300 mm silicon wafers was studied.It is found that the removal rate of the Si backside is on the low side at the dilution volume ratio of 1∶30.After in-depth analysis of the relationship between the removal rate and temperature for the dilution volume ratio of 1∶30,the removal rate of the Si was improved by adjusting and optimizing the slurry and process.The results show that the start and...
【基金】 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308); 国家自然科学基金资助项目(61504037); 河北省研究生创新资助项目(220056); 河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267)
【更新日期】 2016-11-01
【分类号】 TN305.2
【正文快照】 2.天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130)0引言随着集成电路的飞速发展,大尺寸的硅衬底在降低芯片生产成本、提高设备生产效率和重复利用率上更具优势。目前,使用直径300 mm的硅片制造芯片已成为主流。随着特征尺寸的减小,光刻机的焦深变短,硅片表面不平整会导致光刻图案

xxx
【读者推荐文章】中国期刊全文数据库 中国优秀硕士学位论文全文数据库
【相似文献】
中国期刊全文数据库
中国优秀硕士学位论文全文数据库
中国博士学位论文全文数据库
中国重要会议论文全文数据库
中国重要报纸全文数据库
中国学术期刊网络出版总库
点击下列相关研究机构和相关文献作者,可以直接查到这些机构和作者被《中国知识资源总库》收录的其它文献,使您全面了解该机构和该作者的研究动态和历史。
【文献分类导航】从导航的最底层可以看到与本文研究领域相同的文献,从上层导航可以浏览更多相关领域的文献。

工业技术
  无线电电子学、电信技术
   半导体技术
    一般性问题
     半导体器件制造工艺及设备
      表面处理
  
 
  CNKI系列数据库编辑出版及版权所有:中国学术期刊(光盘版)电子杂志社
中国知网技术服务及网站系统软件版权所有:清华同方知网(北京)技术有限公司
其它数据库版权所有:各数据库编辑出版单位(见各库版权信息)
京ICP证040431号    互联网出版许可证 新出网证(京)字008号