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大高宽比微纳结构制备关键技术  
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【英文篇名】 Key Techniques on Preparing High Aspect Ratio Micro and Nano Structures
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【作者】 赵健; 董连和; 朱效立; 谢常青; 陈宝钦; 史佩雄;
【英文作者】 Zhao Jian; Dong Lianhe; Zhu Xiaoli; Xie Changqing; Chen Baoqin; Shi Peixiong; School of Optoelectronic Engineering; Changchun University of Science and Technology; Key Laboratory of Microelectronic Devices &Integrated Technology; Institute of Microelectronics; Chinese Academy of Sciences; DTU DANCHIP; Technical University of Denmark;
【作者单位】 长春理工大学光电工程学院; 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室; 丹麦工业大学DANCHIP实验室;
【文献出处】 微纳电子技术 , Micronanoelectronic Technology, 编辑部邮箱 2016年 10期  
期刊荣誉:ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 HSQ; 电子束光刻; 抗蚀剂工艺; CO2超临界干燥; 大高宽比结构;
【英文关键词】 hydrogen silsesquioxane(HSQ); electron beam lithography; resist process; CO2 supercritical drying; high aspect ratio structure;
【摘要】 利用HSQ具有的高分辨率、高反差和低边缘粗糙度等突出的优点并通过大量的工艺实验,摸索出电子束曝光剂量、显影液配比、显影时间和显影温度等优化条件,对电子束曝光剂量与线条宽度的关系进行了探索,有效消除了由于散射电子和背散射电子产生的电子束曝光邻近效应的影响;通过显影液掺适量氯化钠的溶液配比的显影技术有效提高了图形对比度并且分析了氯化钠与HSQ的作用机理;利用二氧化碳超临界干燥法来抑制气液界面毛细管表面张力作用导致的抗蚀剂结构的坍塌和粘连。实验得到了高宽比为12∶1、侧壁陡直性良好的大面积密集纳米结构。
【英文摘要】 The HSQ has the advantages of high resolution,high contrast and low edge roughness.Through a lot of process experiments,the optimization conditions of the electron beam exposure dose,the proportion of the developer,the developing time and the developing temperature were explored.The relationship between electron beam exposure dose and line width was explored.The electron beam proximity effect in exposure generated by scattered electrons and backscattered electrons was effectively eliminated.Through adding a...
【基金】 国家青年科学基金资助项目(61308078)
【更新日期】 2016-10-08
【分类号】 TN305.7
【正文快照】 微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029;3.丹麦工业大学DANCHIP实验室,丹麦灵比2800)0引言在微纳米加工技术中,高分辨率和高反差电子束抗蚀剂的应用技术是一个十分关键的工艺技术问题。HSQ(hydrogen silses quioxane)是一种有代表性的高分辨率和高反差负性电子束抗蚀剂,它

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