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MPCVD生长半导体金刚石材料的研究现状  
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【英文篇名】 Research Status of the Semiconductor Diamond Materials Grown by the MPCVD
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【作者】 付方彬; 金鹏; 刘雅丽; 龚猛; 吴巨; 王占国;
【英文作者】 Fu Fangbin; Jin Peng; Liu Yali; Gong Meng; Wu Ju; Wang Zhanguo; Key Laboratory of Semiconductor Materials Science; Institute of Semiconductors; Chinese Academy of Sciences; Beijing Key Laboratory of Low-Dimensional Semiconductor Materials and Devices;
【作者单位】 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室;
【文献出处】 微纳电子技术 , Micronanoelectronic Technology, 编辑部邮箱 2016年 09期  
期刊荣誉：ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 金刚石; 宽禁带; 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD); 同质外延生长; 掺杂;
【英文关键词】 diamond; wide band gap; microwave plasma chemical vapor deposition(MPCVD); homoepitaxial growth; doping;
【摘要】 简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导体金刚石材料方面的优势。重点就MPCVD技术在半导体金刚石材料的高速率生长、大尺寸生长、高质量生长以及电学掺杂等四个方面的研究现状进行了详细总结。详细探讨了目前半导体金刚石材料在大尺寸单晶金刚石衬底制备、高质量单晶金刚石外延层生长以及金刚石电学掺杂等方面还存在的一些基本问题。指出在大面积单晶金刚石衬底还没有实现突破的情况下,半导体金刚石材料和器件结构的生长模式。
【英文摘要】 The excellent electrical and optical properties and main preparation methods of the semiconductor diamond materials are briefly introduced,and the significant advantages of the microwave plasma chemical vapor deposition(MPCVD)technology for the preparation of high quality semiconductor diamond materials are presented.And then,the research status of the semiconductor diamond materials grown by the MPCVD technology is emphatically reviewed in detail from the four aspects of the high rate growth,large size gro...
【基金】 北京市科技计划项目(Z151100003315024)
【更新日期】 2016-08-23
【分类号】 TN304.055
【正文快照】 0引言金刚石优异的物理、化学性质使其广泛应用于诸多领域。金刚石为间接带隙半导体材料,禁带宽度约为5.5 eV,热导率高达22 W/(cm·K)。室温电子和空穴迁移率高达4 500 cm2/(V·s)和3 800 cm2/(V·s)[1],远高于第三代半导体材料GaN和SiC。因此,金刚石在高温工作的大功率电力电?

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