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CMP后清洗中活性剂对SiO_2颗粒去除的影响

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【英文篇名】	Effect of the Surfactant on SiO_2 Particle Removal During the Post-CMP Cleaning Process
【下载频次】	★★★★★
【作者】	洪姣; 牛新环; 刘玉岭; 王辰伟; 孙鸣; 高宝红; 韩力英;
【英文作者】	Hong Jiao; Niu Xinhuan; Liu Yuling; Wang Chenwei; Sun Ming; Gao Baohong; Han Liying; Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices; School of Electronic Information Engineering; Hebei University of Technology;
【作者单位】	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室;
【文献出处】	微纳电子技术 , Micronanoelectronic Technology, 编辑部邮箱 2016年 04期期刊荣誉：ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	碱性清洗剂; SiO2颗粒; 金相显微镜; 原子力显微镜(AFM); 扫描电子显微镜(SEM);
【英文关键词】	alkaline cleaner; SiO2 particle; metallographic microscope; atomic force microscope(AFM); scanning electron microscope(SEM);
【摘要】	主要研究了碱性清洗剂中不同体积分数FA/O型活性剂对SiO_2颗粒沾污去除的影响。由金相显微镜实验可以看出,随着FA/O型活性剂体积分数的增加,SiO_2颗粒沾污去除效果先升高后降低,在体积分数为0.25%时效果最优。由原子力显微镜(AFM)测试实验可以得出,当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时铜光片表面粗糙度最小,说明此时SiO_2颗粒沾污得到了有效去除,适当的FA/O型活性剂体积分数能有效提高清洗后铜光片的表面质量。通过扫描电子显微镜(SEM)随机扫描,对SiO_2颗粒沾污进行统计计算,得出当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时SiO_2颗粒沾污缺陷占总缺陷的百分比最小,说明FA/O型活性剂可以有效去除化学机械抛光后铜光片表面的SiO_2颗粒沾污。
【英文摘要】	The effects of the FA/O surfactant with different volume fractions on the removal of SiO_2 particle contamination in the alkaline cleaner were mainly studied.The metallographic microscope test shows that the removal efficiency of the SiO_2 particle contamination increases at first and then decreases with the increase of FA/O surfactant volume fraction,and the removal efficiency of the SiO_2 particle contamination is the best when the volume fraction of the FA/O surfactant is 0.25%.The atomic force microscop...
【基金】	国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308); 河北省教育厅资助科研项目(QN2014208); 河北省自然科学基金资助项目(E2013202247); 河北省高等学校科学研究项目(Z2014088)
【更新日期】	2016-04-27
【分类号】	TN305.2
【正文快照】	0引言随着半导体集成电路的不断发展,集成电路的最小线宽不断缩小[1-2],对表面缺陷的要求也越来越高,清洗难度相应增大,清洗工艺在芯片生产过程中的地位越来越重要[3-5]。化学机械抛光(CMP)技术是目前应用最广泛的全局平坦化技术[6]。抛光后表面的洁净度及表面状态对于制造高质

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