SWNT随机网络TFT输出特性的仿真及实验验证-中国学术期刊网络出版总库

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SWNT随机网络TFT输出特性的仿真及实验验证

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【英文篇名】	Simulation and Experimental Verification of the Output Characteristics of the SWNT Random Network TFT
【下载频次】	★☆
【作者】	王佐奉; 王莎; 郭奥; 胡少坚; 忻佩胜; 石艳玲;
【英文作者】	Wang Zuofeng; Wang Sha; Guo Ao; Hu Shaojian; Xin Peisheng; Shi Yanling; School of Information Science and Technology; East China Normal University; Shanghai Integrated Circuit Research & Development Center;
【作者单位】	华东师范大学信息科学技术学院; 上海集成电路研发中心有限公司;
【文献出处】	微纳电子技术 , Micronanoelectronic Technology, 编辑部邮箱 2016年 03期期刊荣誉：ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	薄膜晶体管(TFT); 蒙特卡罗方法; 输出特性; 随机网络; 单壁碳纳米管(SWNT);
【英文关键词】	thin-film transistor(TFT); Monte Carlo method; output characteristic; random network; single-wall carbon nanotube(SWNT);
【摘要】	为了准确表征单壁碳纳米管(SWNT)随机网络薄膜晶体管(TFT)的输出特性,采用蒙特卡罗方法实现对沟道区域SWNT随机分布情况的仿真,并且通过在弹道输运模型中引入与栅压相关的拟合参数α(Vg)拟合碳管间、碳管与金属电极间接触的影响,最终获得SWNT随机网络TFT输出特性的仿真结果。实验中,以溶液浸泡法制备SWNT薄膜作为TFT沟道材料,以与传统工艺兼容的淀积、刻蚀等步骤制备了TFT,并进行了器件输出特性的测试。实验验证表明,沟道宽度为50μm、长度为10μm TFT的输出特性测试数据与仿真拟合的误差仅为5.6%。此仿真方法能较准确地描写SWNT随机网络TFT的输出特性,通过对蒙特卡罗仿真参数的调整,能预测薄膜晶体管跨导随几何尺寸的变化。
【英文摘要】	In order to accurately characterize the output characteristic of the single-wall carbon nanotubes(SWNT)random network thin-film transistor(TFT),the simulation of the random distribution of the SWNT in the channel region was realized based on Monte Carlo method,and the fitting of the contact effects between the SWNTs or the SWNT and metal electrode based on the ballistic transport model was achieved through introducing a fitting factorα(Vg)related to the gate voltage.Then the output characteristic simulation...
【基金】	国家自然科学基金资助项目(61574056); 上海市自然科学基金资助项目(14ZR1412000)
【更新日期】	2016-04-13
【分类号】	TN321.5;TB383.1
【正文快照】	2.上海集成电路研发中心有限公司,上海201210)0引言单壁碳纳米管(SWNT)制备的薄膜晶体管(TFT)因具有迁移率高、工作电压低、可弯曲等特性而备受关注[1-3]。然而,采用碳纳米管制备高性能薄膜晶体管仍存在障碍:1碳纳米管生长不可控,生长的SWNT中包含1/3的金属型SWNT从而破坏器件?

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