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氧化物稀磁半导体的本征铁磁性及其应用

Intrinsic ferromagnetism and application in oxide-based diluted magnetic semiconductors

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【Author】 Quan Zhiyong;Qi Shifei;Fan Jiuping;Jiang Fengxian;Li Xiaoli;Xu Xiaohong;School of Chemistry and Materials Science,Key Laboratory of Magnetic Molecules and Magnetic Information Materials of Ministry of Education,Shanxi Normal University;

【机构】山西师范大学化学与材料科学学院磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室；

【摘要】 <正>电子具有电荷和自旋两个重要属性,传统的半导体器件仅利用了电子的电荷属性,稀磁半导体材料可以同时利用电子的电荷和自旋属性,成为未来半导体自旋电子器件的关键材料之一。人们期望通过对稀磁半导体材料的研究获得具有非易失、多功能、超高速和低功耗等特性的半导体自旋器件,这对材料和信息技术领域都将是一场质的革命。从上世纪80年代末90年代初,人们就开始关注Mn掺杂III—V族稀磁半导体材料,如(In,Mn)As和(Ga,更多还原

【关键词】氧化物稀磁半导体；非补偿p-n共掺；自旋注入；磁电阻效应；
【Key words】 oxide-based diluted magnetic semiconductors； non-compensated p-n codoping； spin injection； magnetoresistance effect；

【基金】国家杰出青年科学基金项目(51025101)资助

【文献出处】中国科学基金 ,Bulletin of National Natural Science Foundation of China , 编辑部邮箱 ,2015年04期

【分类号】O471
【被引频次】4
【下载频次】256

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