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NiFe/Pt薄膜中角度相关的逆自旋霍尔效应  
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【英文篇名】 Angle dependent inverse spin Hall effect in NiFe/Pt thin film
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【作者】 韩方彬; 张文旭; 彭斌; 张万里;
【英文作者】 Han Fang-Bin; Zhang Wen-Xu; Peng Bin; Zhang Wan-Li; State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices; University of Electronic Science and Technology of China;
【作者单位】 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2015年 24期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 铁磁共振; 自旋整流效应; 自旋抽运; 逆自旋霍尔效应;
【英文关键词】 ferromagnetic resonance; spin rectification effect; spin pumping; inverse spin Hall effect;
【摘要】 NiFe/Pt双层薄膜样品在铁磁共振时,NiFe磁矩进动所产生的自旋流注入到Pt层中,由于逆自旋霍尔效应产生直流电压VISHE,此电压会叠加到NiFe薄膜由于自旋整流效应而产生的电压VSRE上,实验测量所得电压为VISHE和VSRE的叠加.为了区分这两种不同机理对电压的贡献,本文采取旋转外加静磁场的方法,通过分析所测电压随磁场角度的变化从而分离出VISHE的大小.研究结果表明,相比于单层NiFe(20nm)薄膜样品,NiFe(20nm)/Pt(10nm)双层膜样品中由于NiFe自旋注入到Pt中导致铁磁共振线宽增加.与逆自旋霍尔效应产生的电压相比,自旋整流效应的贡献较小,但不可忽略.本文工作有助于认清铁磁/非磁性金属材料中的自旋相关效应,并提供了一种准确的分析逆自旋霍尔效应的方法.
【英文摘要】 In NiFe/Pt bilayer, when spin current originating from the magnetization procession of Ni Fe is inject into the adjacent Pt layer under ferromagnetic resonance(FMR), the direct current(DC) voltage VISHEgenerated by inverse spin Hall effect(ISHE) will be added to the voltage V_(SRE) generated by spin rectification effect(SRE), therefore the measured voltage in experiment is the sum of VISHEand V_(SRE) . It is crucial to separate these contributions, which has been often overlooked before, in order to make a ...
【基金】 国家自然科学基金(批准号:61471095)资助的课题~~
【更新日期】 2016-01-11
【分类号】 TB383.2
【正文快照】 1引言流,从而在非磁性金属材料内自旋流转化为电荷流,通过检测样品两端电压则可以表征出自旋流的在自旋电子学中,自旋被作为信息存储和传大小[13].这种通过自旋抽运效应和逆自旋霍尔效输的载体,因此,产生、操纵以及探测自旋流始终应相结合来产生自旋流以及检测自旋流的方法,已?

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