Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管固态等离子体解析模型-中国学术期刊网络出版总库

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Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管固态等离子体解析模型

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【英文篇名】	Analytic models for solid state plasma of Si/Ge/Si heterogeneous and lateral SPiN diode
【下载频次】	★★★
【作者】	康海燕; 胡辉勇; 王斌; 宣荣喜; 宋建军; 赵晨栋; 许小仓;
【英文作者】	Kang Hai-Yan; Hu Hui-Yong; Wang Bin; Xuan Rong-Xi; Song Jian-Jun; Zhao Chen-Dong; Xu Xiao-Cang; Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices; School of Microelectronics; Xidian University;
【作者单位】	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室;
【文献出处】	物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2015年 23期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊中国期刊方阵 CJFD收录刊
【中文关键词】	SPiN; 固态等离子体; 大注入; 异质结;
【英文关键词】	SPiN; solid state plasma; large injection; heterojunction;
【摘要】	采用横向表面PiN(SPiN)二极管构造的硅基可重构天线具有众多优于传统天线的独特优势,是实现天线小型化和提升雷达与微波通信系统性能的有效技术途径.本文提出一种Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管,并基于双极扩散模型与Fletcher型边界条件,在大注入条件下建立了二极管结电压、电流密度与本征区固态等离子体浓度分布解析模型,并数值模拟分析了本征区长度、P~+与N~+区掺杂浓度、外加电压对所建模型的影响.结果表明,固态等离子体浓度随本征区长度的增加下降,随外加电压的增加而指数上升,随P~+与N~+区掺杂浓度的提高而上升,电流密度随外加电压的增加而指数上升.同等条件下,异质SPiN二极管的固态等离子体浓度相比同质二极管提高近7倍以上.本文所建模型为硅基可重构天线的设计与应用提供有效的参考.
【英文摘要】	Silicon-based reconfigurable antenna,which is fabricated by heterogeneous and lateral surface PiN(SPiN),is an effective technology to achieve antenna miniaturization and enhance radar and wireless communication system performance.In this paper,the heterogeneous and lateral Si/Ge/SiSPiN diode is presented,that can weaken the band gap narrowing of the P~+ and N~+ region to improve the injection ratio of PN junction.And the electrical properties of the solid state plasma within the intrinsic region are also st...
【基金】	国家自然科学基金(批准号:61474085)资助的课题~~
【更新日期】	2015-12-25
【分类号】	TN312.4
【正文快照】	1引言硅基横向表面Pi N二极管(SPi N)在加直流正向偏压使其导通状态时,其表面会形成具有类似金属特性的固态等离子体.采用该二极管构造的硅基固态等离子体可重构天线,具有工作频段切换灵活、辐射方向范围宽、良好的隐身特性、与微电子工艺兼容、可同时实现频率与方向图重构等众

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