对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me V质子辐射试验,当辐射注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明,随着辐射注量的增加暗信号迅速增大.采用MULASSIS(multi-layered shielding simulation software)软件计算了电离损伤剂量和位移损伤剂量,在与γ辐射试验数据对比的基础上,结合器件结构和工艺参数,建立了分离质子辐射引起的电离效应和位移效应理论模型,深入分析了器件暗信号的退化机理.研究结果表明,对该国产器件而言,电离效应导致的表面暗信号和位移效应导致的体暗信号对整个器件暗信号退化的贡献大致相当.
【英文摘要】
In this paper, we discuss the dark signal increase in complementary metal oxide semiconductor(CMOS) active pixel sensor due to proton-induced damage, and present the basic mechanism that may cause failure. When the fluence of protons reaches a predetermined point, the change of dark signal of the device is measured offline. The experimental result shows that as the fluence of protons increases, mean dark signal increases rapidly. The main reason for dark signal degradation is: 1) the ionizing damage causes ...
【基金】
国家自然科学基金(批准号:11005152)资助的课题~~
【更新日期】
2015-06-01
【分类号】
TP212
【正文快照】
1)(中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011)2)(中国科学院大学,北京100049)3)(重庆光电技术研究所,重庆400060)对某国产0.5μm工艺制造的互补金属氧化物半导体有源像素传感器进行了10 Me
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