FD-SOI的优点及在中国发展的机遇-中国学术期刊网络出版总库

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FD-SOI的优点及在中国发展的机遇

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【英文篇名】	FD- SOI Advantages and Development Opportunity in China
【下载频次】	★★★★★
【作者】	刘忠立; 赵凯;
【英文作者】	Liu Zhongli; Zhao Kai; Institute of Microelectronics; CAS; Institute of Semiconductors;
【作者单位】	中国科学院微电子研究所; 中国科学院半导体研究所;
【文献出处】	微处理机 , Microprocessors, 编辑部邮箱 2015年 02期期刊荣誉：ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	全耗尽绝缘体上硅技术; 节能; 低功耗; 低电压; 特征尺寸; 缩比;
【英文关键词】	Full Depletion SOI; Energy saving; Low power; Low voltage; Feature size; Scaling down;
【摘要】	大多数的电子产品都面临着节能问题,特别是移动电子产品和空间应用,需要集成电路在低电压和低功耗下工作。体硅,甚至PD-SOI(部分耗尽绝缘体硅)CMOS电路,在这些方面遇到很大的挑战。FD-SOI,即全耗尽绝缘体硅技术是一个非常好的选择。当器件特征尺寸缩比到纳米级时,FD-SOI的节能优势更加突出。介绍FD-SOI的优点、应用及在中国发展的机遇。
【英文摘要】	Most of the electronic products are facing with the problem of energy saving. The mobile electronic products and space applications in particular require low voltage and low power integrated circuits. The development for BULK Si,even PD- SOI CMOS,in these aspects,encounters a great challenge. FD- SOI,namely full depletion silicon on insulator,is a very good alternative. When devices further scale down to the nanometer level,the advantage of energy saving of FD- SOI is more prominent.This paper introduces ad...
【更新日期】	2015-05-22
【分类号】	TN401
【正文快照】	1引言是金子总会发光的。对于CMOS集成电路而言,FD-SOI便是一种黄金技术。究其原因,首先是体硅CMOS器件在进一步缩比时遇到了障碍,而FD-SOI却具有优良的器件缩比特性,并且平面FD-SOI器件能同体硅的Fin FET竞争;其次,FD-SOI具有薄的BOX(埋氧化物)及薄的顶层硅膜,能够改善器件的?

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