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高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备  
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【英文篇名】 Fabrication of High Brightness Top-emitting Green OLED Micro-display
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【作者】 段瑜; 张筱丹; 孙浩; 朱亚安; 王光华; 宋立媛; 于晓辉; 万锐敏; 季华夏; 李亚文;
【英文作者】 DUAN Yu; ZHANG Xiao-dan; SUN Hao; ZHU Ya-an; WANG Guang-hua; SONG Li-yuan; YU Xiao-hui; WAN Rui-min; JI Hua-xia; LI Ya-wen; Yunnan Olightek Opto-electronic technology Co.; Ltd.; Kunming Institute of Physics;
【作者单位】 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司; 昆明物理研究所;
【文献出处】 红外技术 , Infrared Technology, 编辑部邮箱 2015年 12期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 高亮度绿光; OLED; 微显示器件;
【英文关键词】 high brightness green emitting; OLED; micro-display;
【摘要】 通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m~2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m~2到20000 cd/m~2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm~2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m~2和500 cd/m~2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
【英文摘要】 A high brightness, 0.6 inch, 800×600, mono green OLED micro-display, which based on phosphorescent materials, high efficient top-emitting structure and SVGA060 si-base CMOS backplane with full digital system driver circuit have been fabricated. The voltage of device start working is only 2.6 V, and the voltage swing as low as 2.7 V from 20 cd/m~2 to 20000 cd/m~2. When current density is 20 m A/cm~2, the green emission with peak at 535 nm and CIE coordinates X=0.286, Y=0.665. The maximun current efficiency i...
【基金】 云南省应用基础研究重点项目,编号:2012FA004; 昆明市产业创新发展重点项目,编号:2014-01-A-G-02-2006
【更新日期】 2016-01-15
【分类号】 TN141
【正文快照】 底上,有利于实现发光器件与成熟硅基电路的集成,0引言同时还避免了传统底发射器件驱动电路和显示发光近年来,有机电致发光显示器(OLED)由于具面积相互竞争的问题,提高了显示器件的开口率。有视角宽、响应速度快、轻薄以及较容易实现全彩色OLED显示器中所用的材料分为荧光材料和

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