低压化学气相沉积法生长B掺杂ZnO薄膜及其性能-中国学术期刊网络出版总库

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低压化学气相沉积法生长B掺杂ZnO薄膜及其性能

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【英文篇名】	Structural,optical and electrical properties of B doped ZnO films deposited by low pressure chemical vapor deposition
【下载频次】	★★★★★
【作者】	徐小科; 赵俊亮; 李效民; 吴永庆; 杨哲; 何兵;
【英文作者】	XU Xiao-ke; ZHAO Jun-liang; LI Xiao-min; WU Yong-qing; YANG Zhe; HE Bing; Shanghai Institute of Ceramics; Chinese Academy of Science; Shanghai Juntech Co.; LTD.; Department of Applied Physics; College of Science; Tianjin University;
【作者单位】	中国科学院上海硅酸盐研究所; 上海俊天科技有限公司; 天津大学理学院应用物理系;
【文献出处】	功能材料 , Journal of Functional Materials, 编辑部邮箱 2015年 07期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊中国期刊方阵 CJFD收录刊
【中文关键词】	BZO; 透明导电氧化物; 生长机理; 雾度; 低压化学气相沉积(LPCVD);
【英文关键词】	BZO; transparent conductive oxide; growth mechanism; haze; low pressure chemical vapor deposition(LPCVD);
【摘要】	低压化学气相沉积法生长的B掺杂ZnO薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极。以Zn(C2H5)2和H2O为前驱体,B2H6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了B掺杂ZnO薄膜。通过XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征,着重研究了(110)取向的BZO薄膜的生长机理。结果表明,厚度在500nm以下的BZO薄膜主要表现为(002)取向,随着厚度的增加,薄膜取向开始向(110)转变。所得BZO镀膜玻璃在400~1 000nm范围内总透过率>80%,雾度最高可达28%(550nm),方块电阻最低约7Ω/□,电阻率最低约1.0×10-3Ω·cm。
【英文摘要】	Transparent conductive B doped ZnO(BZO)film grown by low pressure chemical vapor deposition(LPCVD)has been emerging as an efficient light scattering front electrode for thin film silicon solar cells.In the study,high quality BZO films were grown on glass substrates by LPCVD using Zn(C2H5)2,H2 O as precursors and B2H6 as the dopant.The crystalline structure,morphology and electrical properties were characterized by X-ray diffraction(XRD),field-emitting scanning electron microscope(FESEM)and four-probe method...
【基金】	国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61204073); 上海市纳米技术专项基金资助项目(11NM0501500,13NM1402100); 上海浦江人才计划资助项目(12PJ1431000); 天津市自然科学基金资助项目(11JCYBJC25800,11JCZDJC21900)
【更新日期】	2015-03-23
【分类号】	TB383.2
【正文快照】	压化学气相沉积(LPCVD)1引言透明导电氧化物(TCO)薄膜是硅基薄膜太阳能电池的关键组件之一[1-2]。作为硅基薄膜太阳能电池的前电极,TCO薄膜需要满足下面几个条件以获得高的光电转化效率:(1)在可见和近红外光谱区域的高透过率;(2)高的电导率;(3)优秀的光散射性能,一般源于其粗糙

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