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Pt/PZT铁电薄膜结晶性能与界面结构研究  
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【英文篇名】 Crystallization properties and interface structure of Pt/PZT ferroelectric thin films
【下载频次】 ★★★
【作者】 万静; 杨成韬;
【英文作者】 WAN Jing; YANG Chengtao; College of Microelectronics and Solid -State Electronics; University of Electronic Science and Technology of China; College of Chemistry & Environment Protection Engineering; Southwest University for Nationalities;
【作者单位】 电子科技大学微电子与固体电子学院; 西南民族大学化学与环境保护工程学院;
【文献出处】 电子元件与材料 , Electronic Components and Materials, 编辑部邮箱 2015年 10期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 PZT薄膜; 取向生长; 高斯软件; 团簇分子; 界面结构; 量子点;
【英文关键词】 PZT films; orientation growth; Gauss software; cluster molecules; interface structure; quantum dots;
【摘要】 锆钛酸铅[Pb(ZrxTi1-x)O3,PZT]薄膜具有优异的铁电性能,其中以(111)取向的PZT薄膜铁电性能更优异。目前对影响PZT薄膜取向生长的因素还未完全研究清楚,而PZT薄膜制备中,薄膜的择优取向生长控制是薄膜制备工艺的难点。采用TEM观察界面微观结构,利用高斯软件在TPSS/def2-TZVP水平下计算优化出PbxPt团簇分子的结构,发现界面层上形成的这类分子属于量子点范畴,结构上与PZT薄膜(111)晶面取向相似。提出高温退火生成的大量PbxPt团簇分子是(111)晶面取向生长的诱导剂,控制界面层这种物质的生成和扩散可以控制PZT薄膜(111)取向生长。
【英文摘要】 Lead zirconate titanate(Pb(ZrxTi1–x)O3, PZT)thin films have excellent ferroelectric properties, the ferroelectric properties of(111) preferred orientation of PZT thin films is more excellent. The influence factors on the orientation growth of PZT thin film is not clear, so the preparation of PZT thin films in preferred orientation growth control is a technical difficulty. TEM was used to observe the microstructure of the interface. The optimization structure of PbxPt clusters were obtained by using Gauss so...
【基金】 中央高校基本科研基金资助(No.8200784)
【更新日期】 2015-11-02
【分类号】 TB383.2
【正文快照】 随着铁电薄膜和半导体集成技术相结合而发展起来的集成铁电学的兴起,研制出了基于PZT铁电薄膜的铁电存储器,相比于一般的半导体存储器,它具有非易失性、高速度、高容量、抗辐射与抗干扰性强、操作电压低和与IC工艺兼容等特点,PZT薄膜由于具有较大的剩余极化强度而成为研究最多?

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