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(0001)SiC衬底MgB_2超薄膜的制备和性质研究  
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【英文篇名】 PROPERTIES OF MgB_2 ULTRA-THINFILMS FABRICATED ON SIC(0001) SUBSTRATE
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【作者】 陈雷; 马世成; 冯庆荣; 董兴辉; 朱凌志;
【英文作者】 CHEN Lei; MA Shicheng; FENG Qingrong; DONG Xinghui; ZU Lingzhi; School of Mathematics and physics; North China Electric Power University; School of Physics; Peking University; School of Energy; Power and Mechanical Engineering; China Electric power Research Institute;
【作者单位】 华北电力大学数理学院; 北京大学物理学院; 华北电力大学能源动力与机械工程学院; 中国电力科学研究院;
【文献出处】 低温物理学报 , Chinese Journal of Low Temperature Physics, 编辑部邮箱 2015年 04期  
期刊荣誉：ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 SiC衬底; MgB2超薄膜; 混合物理化学气相沉积;
【英文关键词】 SiC substrate; MgB2 ultra-thin film; hybrid physics-chemical vapor deposition;
【摘要】 利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为(HPCVD)在(0001)SiC衬底上制备了干净的MgB2超导超薄膜.在背景气体、压强、载气氢气流量以及B2H6的流量一定的情况下,改变沉积时间,制得一系列MgB2超薄膜样品。通过观察样品的表面形貌变化探究了MgB2超薄膜的生长过程.该系列超薄膜的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式且沿c轴外延生长.以20nm超薄膜作为例子,可知其表面连接性良好,超导转变温度Tc(0)≈38.5K,临界电流密度Jc≈0.82×107 A/cm2,表明了利用HPCVD在(0001)SiC衬底上制备的MgB2超薄膜有很好的性能.这预示其在超导电子器件上具有广阔的应用前景.
【英文摘要】 We fabricate MgB2 ultra-thin films via hybrid physics-chemical vapor deposition technique(HPCVD).Under the same back-ground pressure,the same H2 flow rate and the same B2 H6 flow rate,by changing the deposition time,we fabricate a series of ultra-thin films with different thickness and observe the surface morphology change of growth process.These films grow on(0001)SiC substrate,are all c-axis epitaxial,and follow the VolmerWeber mode.The 20 nm ultra-thin film shows the good connectivity and a high Tc(0)≈38...
【基金】 国家电网公司科技项目(批准号:NY71-13-036)资助的课题~~
【更新日期】 2015-09-11
【分类号】 O484.1
【正文快照】 PACC:7475PROPERTIES OF MgB2ULTRA-THINFILMS FABRICATEDON SIC(0001)SUBSTRATE*CHEN Lei 1 MA Shicheng1 FENG Qingrong2 DONG Xinghui 3 ZU Lingzhi 41 School of Mathematics and physics,North China Electric Power University,Beijing102206;2 School of Physics,Peking

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