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基于脉冲激光定位的SRAM单粒子闩锁事件率预估  
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【英文篇名】 SEL rate prediction for SRAM using pulsed laser sensitivity mapping
【下载频次】 ★★★★
【作者】 余永涛; 韩建伟; 封国强; 蔡明辉;
【英文作者】 YU Yongtao; HAN Jianwei; FENG Guoqiang; CAI Minghui; National Space Science Center; Chinese Academy of Sciences; University of Chinese Academy of Sciences;
【作者单位】 中国科学院空间科学与应用研究中心; 中国科学院大学;
【文献出处】 北京航空航天大学学报 , Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics, 编辑部邮箱 2015年 04期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 SEL事件率; 敏感区定位; 敏感体积单元; 质子直接电离; 静态随机存储器; 脉冲激光;
【英文关键词】 SEL rate; sensitivity mapping; sensitive volume; direct ionization of proton; SRAM; pulsed laser;
【摘要】 器件单粒子闩锁效应(SEL)预估方法一般是建立在只有一个敏感体积单元的长方体(RPP)模型上,静态随机存储器(SRAM)单粒子闩锁敏感区的定位试验结果表明敏感体积单元不仅有一个.利用脉冲激光定位SRAM K6R4016V1D单粒子闩锁效应敏感区的试验结果对器件在轨SEL事件率进行了修正计算.首先利用脉冲激光定位SRAM SEL敏感区,获得敏感区的分布情况,并确定整个器件敏感体积单元的数量.然后针对不同的空间轨道、辐射粒子以及敏感体积厚度和敏感体积单元数进行了相应的器件SEL事件率计算,并对计算结果进行了分析讨论.结果表明,重离子引起的SEL事件率随敏感体积单元数量的增大而减小;修正敏感体积单元数量对预估质子引起的SEL事件率非常必要,否则将会过高评估质子直接电离作用对SEL事件率的贡献.
【英文摘要】 The classical approaches for single event latchup( SEL) rate prediction are based on the rectangular parallelepiped( RPP) model of only one sensitive volume. However,the experiment results of SEL sensitivity mapping of static random access memory( SRAM) show that the device has not only one sensitive volume( SV). The in-flight SEL rate of the device was corrected using the experiment results of pulsed laser SEL sensitivity mapping of SRAM K6R4016V1 D. The SEL sensitivity maps of the SRAM by pulsed laser wer...
【基金】 中国科学院支撑技术资助项目(110161501038)
【更新日期】 2015-05-25
【分类号】 V520
【正文快照】 网络出版地址:www.cnki.net/kcms/detail/11.2625.V.20141209.1531.003.html引用格式:余永涛,韩建伟,封国强,等.基于脉冲激光定位的SRAM单粒子闩锁事件率预估[J].北京航空航天大学学报,2015,41(4):609-615.Yu Y T,Han J W,Feng G Q,et al.SEL rate prediction for SRAM using p

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