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铁电晶体管存储器的读出电路设计

Design of Readout Scheme for Ferro-Electric Field Effect Transistor

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【作者】 何伟杨健苍翟亚红杨成韬李俊宏

【Author】 HE Wei;YANG Jiancang;ZHAI Yahong;YANG Chengtao;LI Junhong;State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China;

【机构】 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

【摘要】 通过对铁电晶体管电学特性分析,提出了铁电晶体管的仿真模型,并设计了一种新型单管(1T)结构的读出电路。通过此模型进行了仿真验证,并与传统双管(2T)结构的电流放大读出电路的仿真结果进行对比,结果表明,新型1T结构读出电路在读出速度,可靠性及电路结构大小等方面均有提高。

【Abstract】 By analyzing the electronic property of ferro-electric field effect transistor(FeFET),the simulation module of FeFET was proposed and a new readout scheme for 1Ttype was designed.Based on the simulation module,the function of scheme was testified.Compare to the simulation result of tradition current-based readout scheme for 2Ttype,the new readout scheme for 1Ttype was faster,with further improvement on the reliability and circuit structure.

【关键词】 铁电晶体管仿真模型单管结构读出电路
【Key words】 FeFETsimulation module1Ttypereadout schematic
【基金】 国家自然科学基金资助项目(61204084)
  • 【文献出处】 压电与声光 ,Piezoelectrics & Acoustooptics , 编辑部邮箱 ,2014年02期
  • 【分类号】TP333
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