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化学气相沉积法制备石墨烯的铜衬底预处理研究  
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【英文篇名】 The pre-treatment of copper for graphene synthesis
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【作者】 王浪; 冯伟; 杨连乔; 张建华;
【英文作者】 Wang Lang; Feng Wei; Yang Lian-Qiao; Zhang Jian-Hua; Key Laboratory of Advanced Display and System Applications (Shanghai University); Ministry of Education; School of Materials Science and Engineering; Shanghai University;
【作者单位】 上海大学; 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室; 上海大学材料科学与工程学院;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2014年 17期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 石墨烯; ; 预处理; 化学气相沉积;
【英文关键词】 graphene; copper; pre-treatment; chemical-vapor-deposition;
【摘要】 铜作为一种在化学气相沉积法制备石墨烯中被广泛采用的衬底材料,其表面形貌和质量对石墨烯的品质有较大的影响.提出了一种简单有效的铜衬底预处理方法,在生长石墨烯前,将铜衬底在浓度为1 mol/L的硝酸铁水溶液中进行预刻蚀,研究了不同刻蚀时间的影响.发现当预刻蚀时间为90 s时,经石墨烯生长后得到了相对平整且无杂质颗粒的表面;与盐酸预刻蚀及电化学抛光方法进行了比较,实验结果表明,硝酸铁溶液预刻蚀的效果优于盐酸处理,可与电化学抛光效果比拟,且操作更为简单快捷.经过不同型号铜衬底实验验证,此方法具有普遍适用性.
【英文摘要】 Graphenesynthesisbychemical-vapor-deposition(CVD)hasattractedgreatinterest. Asthesubstratesforgraphene growth, copper has become a common choice because its capacity could produce high-quality and uniform monolayer graphene. Morphology and surface conditions of the copper foil have great influence on the quality of the graphene grown on it. Here we report a rapid and effective copper pre-treatment method to improve the quality of graphene. After a pre-etching in 1 mol/L Fe(NO3)3aqueous solutions for 90 s, t...
【基金】 国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2011CB013100); 国家科技支撑计划(批准号:2011BAE01B14)资助的课题~~
【更新日期】 2014-10-23
【分类号】 O613.71
【正文快照】 1引言石墨烯是一种由碳原子构成的二维晶体,自2004年被发现以来[1],由于其独特的理化性能而引起了广泛关注,已被应用于包括高速器件[2]、透明导电[3,4]、能量存储[5]等多个领域.目前,石墨烯的主要制备方法包括机械剥离法[1,6]、氧化还原法[7,8],SiC外延法[9]、化学气相沉积(che

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