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ZnO半导体电导型X射线探测器件研究  
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【英文篇名】 Study of ZnO photoconductive X-ray detector
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【作者】 赵小龙; 康雪; 陈亮; 张忠兵; 刘金良; 欧阳晓平; 彭文博; 贺永宁;
【英文作者】 Zhao Xiao-Long; Kang Xue; Chen Liang; Zhang Zhong-Bing; Liu Jin-Liang; Ouyang Xiao-ping; Peng Wen-Bo; He Yong-Ning; The School of Electronic and Information Engineering; Xi’an Jiaotong University; Radiation Detection Research Center; Northwest Institute of Nuclear Technology;
【作者单位】 西安交通大学; 电子与信息工程学院; 西北核技术研究所; 辐射探测科学研究中心;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2014年 09期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 ZnO薄膜; ZnO纳米线; X射线探测; 氧吸附;
【英文关键词】 ZnO film; ZnO nanowires; X-ray detection; oxygen absorption;
【摘要】 本文制备了基于ZnO纳米线阵列和ZnO薄膜的Ag-ZnO-Ag电导型X射线探测器件,研究了它们对X射线的响应特性.薄膜器件在100 V偏置时的响应度达到0.12μC/Gy,纳米线阵列器件在50 V偏压下的响应度达到0.17μC/Gy.器件工作机理研究表明,器件的响应过程与表面氧吸附与解吸附效应有关,氧气吸附与解吸附过程使得X射线辐照下的载流子寿命大幅度增加,从而使得器件对X射线具有较高的响应度.本文研究结果表明ZnO薄膜和纳米线阵列器件在X射线剂量测量领域具有应用前景.
【英文摘要】 Ag-ZnO-Ag X-ray detectors based on ZnO film and nanowires are both fabricated in this paper. Results of continuous X-ray radiation measurement show that the two detectors have high responsivity: the responsivity of the ZnO film device is about 0.12 μC/Gy under a 100 V bias voltage, and that of the ZnO nanowires device is about 0.15 μC/Gy under a 50 V bias voltage. Surface effect due to the absorption and desorption of oxygen on the ZnO surface, which makes the carrier lifetime increase, is decisive to the h...
【基金】 国家自然科学基金(批准号:60876038,11375144); “ZnO半导体纳米结构核辐射探测机理研究”,西安交通大学基本科研业务费学科综合交叉科研项目资助的课题~~
【更新日期】 2014-07-01
【分类号】 O484;TB383.1
【正文快照】 1引言半导体核辐射探测器具有体积小、灵敏度高、分辨率高以及可集成度高等优点,在核辐射探测领域有广泛的需求.目前,成熟的半导体核辐射探测器以硅基材料为主,例如硅漂移探测器(SDD)、硅微条(SMD)、硅二极管(Si-PIN)等,然而硅材料抗辐照能力较差,探测器使用寿命短,不利于在强?

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