节点文献
300mm晶圆化学机械抛光流体润滑行为研究
【摘要】 <正>化学机械抛光(CMP)是集成电路制造的一个关键工艺步骤。随着晶圆尺寸增加至300 mm,对CMP全局平坦化效果的要求越来越高。目前人们对CMP机理的认识多集中在晶圆表面材料的去除机理,而对全局平坦化机理的研究很少。本文在CMP装备研发和在线测量系统研制的基础上,以流体作用为切入点,对300 mm晶圆CMP过程抛光接触面的流体润滑行为和晶圆状态进行系统的试验研究,为工业CMP过程晶圆平坦化机理研究奠定基础。主要研究工作如下。
- 【文献出处】 机械工程学报 ,Journal of Mechanical Engineering , 编辑部邮箱 ,2014年02期
- 【分类号】TG175;TN405
- 【被引频次】1
- 【下载频次】397