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基于外延层转移的GaAs PIN与Si异构集成技术

Heterogeneous Integration of GaAs PIN and Si by Epitaxial Layer Transfer Process

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【Author】 ZHAO Yan;CHENG Wei;WU Lishu;WU Jing;SHI Guixiong;HUANG Ziqian;Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute;

【机构】微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京电子器件研究所；

【摘要】 <正>南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方面的研究,并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术,成功地将3μm厚的76.2 mm(3英寸)GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),并进行了Si基GaAs PIN二极管的制备。测试表明,Si基GaAs PIN二极管性能与GaAs基PIN二极管性能相比没有发生退化(如图2所示),且具有较好的片内一致性(如图3所示),这说明整套外延层转移工艺并未对外延层的质量产生影响。更多还原

【关键词】外延层； GaAs PIN； Si；晶体管级；键合技术；圆片；剥离技术；转移技术；

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of SSE , 编辑部邮箱 ,2014年02期

【分类号】TN305
【下载频次】162

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