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AgInS2量子点研究进展

Advances on AgInS2 quantum dots

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【作者】 谢翠萍向卫东骆乐钟家松赵斌宇梁晓娟

【Author】 XIE Cui-ping;XIANG Wei-dong;LUO Le;ZHONG Jia-song;ZHAO Bin-yu;LIANG Xiao-juan;College of Materials Science and Engineering,Tongji University;College of Chemistry and Materials Engineering,Wenzhou University;

【机构】 同济大学材料科学与工程学院温州大学化学与材料工程学院

【摘要】 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族新型三元半导体量子点AgInS2,不仅具备了量子点所具有的优异性能,同时以其低毒环保的优点,在近年来取得了重大的研究进展,有望取代Cd系量子点在各领域的应用。通过对国内外最新研究成果进行总结,概述了AgInS2量子点的研究进展,讨论了其存在的问题并对今后的研究进行了展望。

【Abstract】 Recently,the newly environmental friendly Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ semiconductor quantum dots( QDs) AgInS2had received significant progress by virtue of its excellent properties of quantum dots and the advantage of low-toxic. Therefore,it was expected to replace Cd-based quantum dots in various applications. Focus on the advances at home and abroad,the status and the existing problems of AgInS2quantum dots are summerized and discussed. Furthermore,the prospects of the related research are presented.

【关键词】 AgInS2半导体量子点研究进展
【Key words】 AgInS2semiconductorquantum dotsresearch advances
【基金】 国家自然科学基金资助项目(51272059);浙江省重点科技创新团队资助项目(2009R50010);温州市科技资助项目(G20110012)
  • 【文献出处】 功能材料 ,Journal of Functional Materials , 编辑部邮箱 ,2014年04期
  • 【分类号】O471.1
  • 【被引频次】15
  • 【下载频次】768
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