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同步降压式转换器芯片带隙基准源的设计
【摘要】 采用CMOS工艺设计了同步降压式转换器芯片中的带隙基准电压源电路,并用CSMC 0.35μm混合CMOS工艺模型进行了仿真。基准电压1.2V,在2V~5V输入电压范围内输出电压变化小于0.5mV。-40℃~120℃温度范围,输出电压温度系数小于30ppm。并且电路有使能控制和软启动功能,具有较低功耗和良好的瞬态响应。
- 【文献出处】 电子世界 ,Electronics World , 编辑部邮箱 ,2014年17期
- 【分类号】TN432
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