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军用电子元器件的高过载性能研究
【摘要】 研究抗高过载能力是提升武器装备中电子元器件性能的重要环节。简介了军用电容器、MEMS器件以及试验装置等方面的研究动态。以石英晶体元件的霍普金森杆实验为例,验证了高过载实验的方法与意义,对提高军用电子元器件抗高过载能力研究具有参考意义。
- 【文献出处】 电子元件与材料 ,Electronic Components and Materials , 编辑部邮箱 ,2014年10期
- 【分类号】TN601
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