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AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜的制备及其逆磁电效应研究  
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【英文篇名】 Preparation and Converse Magnetoelectric Effect of AlN/FeCoSiB Magnetoelectric Composite Films
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【作者】 童贝; 杨晓非; 林更琪; 陈实; 欧阳君;
【英文作者】 TONG Bei; YANG Xiao-Fei; LIN Geng-Qi; CHEN Shi; OUYANG Jun; School of Optical and Electronic Information; Huazhong University of Science and Technology;
【作者单位】 华中科技大学光学与电子信息学院;
【文献出处】 无机材料学报 , Journal of Inorganic Materials, 编辑部邮箱 2013年 09期  
期刊荣誉:中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 射频磁控溅射; 复合薄膜; 退火; 逆磁电;
【英文关键词】 RF magnetron sputtering; composite film; annealing; converse magnetoelectric;
【摘要】 借助射频磁控溅射成功制备了AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜,探讨了退火条件对AlN薄膜压电性能和FeCoSiB薄膜磁性能的影响,并研究了其逆磁电响应。结果显示,500℃退火处理的AlN薄膜具有高度(002)择优取向和柱状生长结构;经过300℃退火后FeCoSiB薄膜的磁场灵敏度提高。该磁电复合薄膜的逆磁电电压系数(αCME)在偏置磁场(Hdc)为875 A/m时达到最大值62.5 A/(m·V);且磁感应强度(B)随交变电压(Vac)的变化呈现优异的线性响应(线性度达到1.3%)。这种AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜在磁场或电场探测领域具有广阔的应用前景。
【英文摘要】 AlN/FeCoSiB magnetoelectric(ME) composite films were prepared by RF magnetron sputtering successfully. The influences of annealing on piezoelectric property of AlN film and magnetic property of FeCoSiB film were discussed. The converse magnetoelectric(CME) response was investigated in detail. The results demonstrate that after annealing at 500 ℃, the AlN film possesses the highly(002) preferred orientation and typical columnar microstructure. Pronounced magnetic field sensitivity of FeCoSiB film is improved...
【基金】 国家自然科学基金(51172080)~~
【更新日期】 2014-02-26
【分类号】 TB383.2
【正文快照】 磁电效应是凝聚态物理和材料科学领域研究的热点,它是指介质在外加磁场H的作用下发生电极化P(即正磁电效应);或在外加电场E的作用下发生磁极化M(即逆磁电效应)[1]。与单相磁电材料[2]相比,由压电相和压磁相组成的磁电层状/块体材料[3-9]具有更大的磁电响应,这主要是由于其磁电?

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