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高压下XeF_2结构和电子性质的第一性原理研究  
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【英文篇名】 First-Principles Study of Structural and Electronic Properties of XeF_2 Crystal under High Pressure
【下载频次】 ★★
【作者】 廖大麟; 李佐; 王朴; 程新路;
【英文作者】 LIAO Dalin; LI Zuo; WANG Pu; CHENG Xinlu; College of Physical Science and Technology; Bijie College; Institute of Atomic and Molecular Physics; Sichuan University;
【作者单位】 毕节学院理学院; 四川大学原子与分子物理研究所;
【文献出处】 四川师范大学学报(自然科学版) , Journal of Sichuan Normal University(Natural Science), 编辑部邮箱 2013年 06期  
期刊荣誉:ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 二氟化氙; 态密度; 高压;
【英文关键词】 Xenon fluoride(XeF2); density of states; high-pressure;
【摘要】 二氟化氙(XeF2)晶体是一种重要的化学刻蚀材料和激光器件材料.利用密度泛函理论(DFT),分别采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)对XeF2晶体在0~120 GPa范围内的结构进行相关分子动力学模拟,得到了压强-体积(p-V)关系.结果表明,低压下用2种方法得到的XeF2晶体数据与实验比较吻合.同时,分析了高压下原子态密度的变化,得到了XeF2晶体带隙与压强的变化关系,表明XeF2晶体在高压下是一种半导体材料.研究其在高压下的变化特征,对实验研究具有一定参考价值.
【英文摘要】 Xenon fluoride( XeF2) crystal is an important chemical etching and laser device material. In this paper pressure-volume( p-V) relationship of XeF2crystals has been obtained in the range of 0 ~ 120 GPa using the molecular dynamics simulations,based on the generalized gradient approximation( GGA) and local density approximation( LDA) of density functional theory( DFT).The results show that at the low pressure the crystal data of XeF2gotten by two methods are in good agreements with experimental data.Meanwhile...
【基金】 贵州省教育厅自然科学基金(20090067)资助项目
【更新日期】 2014-04-29
【分类号】 O521.2
【正文快照】 二氟化氙(XeF2)粉末是一种无色透明晶体,制备工艺简单,甚至在自然光的照射下就能用氟和氙气反应生成.XeF2是一种重要的化学刻蚀材料和激光器件材料[1].在硅基材料的刻蚀中,它有着广泛的应用.主要优点在于,它是一种干法刻蚀,其刻蚀反应产物均可由真空系统抽除,基本没有刻蚀污染;

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