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PH_3/SiH_4气流量比对N型a-Si:H薄膜微观结构与电学性能的影响  
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【英文篇名】 Effect of PH_3/SiH_4 Gas Flow Ratio on Microstructures and Electrical Properties of N-type a-Si:H Films
【下载频次】 ★★☆
【作者】 董丹; 时惠英; 蒋百灵; 鲁媛媛; 张岩;
【英文作者】 DONG Dan; SHI Huiying; JIANG Bailing; LU Yuanyuan; ZHANG Yan; School of Materials Science and Engineering; Xi'an University of Technology; Xi'an Huanghe Photovoltaic Technology Co.; Ltd;
【作者单位】 西安理工大学材料科学与工程学院; 西安黄河光伏科技股份有限公司;
【文献出处】 硅酸盐学报 , Journal of the Chinese Ceramic Society, 编辑部邮箱 2013年 12期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 磷掺杂氢化非晶硅薄膜; 磷掺杂比; 退火; 载流子浓度; 电阻率;
【英文关键词】 phosphorus doped hydrogenated amorphous silicon film; phosphorus doping ratio; annealing; carrier concentration; resistivity;
【摘要】 采用等离子体增强化学气相沉积法制备了不同PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H系列薄膜,研究了PH3/SiH4气流量比对N型a-Si:H薄膜微结构和电学性能的影响;同时,对最优PH3/SiH4气流量比条件下的N型a-Si:H薄膜进行了真空退火处理,以研究薄膜晶体结构的改变对其性能的影响。结果表明:随着PH3/SiH4气流量比的增加,N型a-Si:H薄膜的非晶结构没有实质改变,但其电学性能得到明显改善;在最佳的PH3/SiH4气流量比为1.5%时制备的薄膜,经真空退火处理后,N型a-Si:H薄膜的有序度明显提高,电阻率比退火前降低3个数量级。退火处理对薄膜的晶体结构影响较大,从而对薄膜电学性能的改善更为显著。
【英文摘要】 A series of N-type a-Si:H films were prepared by a plasma enhanced chemical vapor deposition method at different PH3/SiH4-doped flow ratios. The N-type a-Si:H film with the optimal PH3/SiH4 flow ratio was annealed in vacuum. The influence of PH3/SiH4 flow ratio on the microstructures and properties of a-Si:H films was investigated. The results indicate that the microstructure of N type a-Si:H films has no substantial change, but the electrical properties improves when PH3/SiH4 flow ratio increases. The a-Si...
【基金】 国家自然科学基金项目(51271144)资助
【更新日期】 2014-04-14
【分类号】 TB383.2
【正文快照】 目前,全球的能源危机推动着各国对新能源的探索和研究。太阳能由于其清洁性和可再生性而备受瞩目。当前转换效率较高的是单晶硅电池,但由于其单位产能成本高而无法推广应用。非晶硅薄膜电池则以材料消耗少,耗能低,可大面积生产,能量返回周期短等优点弥补了单晶硅的缺憾[1–3]。

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