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NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究  
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【英文篇名】 The study of the preparation and the heating treatment of NiFeCr/NiFe/MgO/Ta films
【下载频次】 ★★★
【作者】 李明华; 李伟; 滕蛟; 于广华;
【英文作者】 LI Ming-hua; LI Wei; TENG Jiao; YU Guang-hua; Department of Material Physics and Chemistry; University of Science and Technology Beijing;
【作者单位】 北京科技大学材料学院材料物理与化学系;
【文献出处】 功能材料 , Journal of Functional Materials, 编辑部邮箱 2013年 18期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 MgO; NiFeCr; 各向异性磁电阻; 退火;
【英文关键词】 MgO; NiFeCr; the anisotropic magnetoresistance; annealing;
【摘要】 采用磁控溅射制备了NiFeCr(4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD结果表明,薄膜不仅具有很强的NiFe(111)织构,同时还出现了MgO的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。
【英文摘要】 The NiFeCr(4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)films were prepared by magnetic sputtering and were annealed in a vacuum furnace with an applied plane field.The anisotropic magnetoresistance(AMR)increases dramatically after the annealing and it reaches to 3.02% after annealing at 400℃.Afterwards,the AMR decreases with a further increase of the heating treatment temperature.The XRD results show that the perfect diffraction peak of NiFe(111)was well presented.At the same time the MgO(111)was presented also a...
【基金】 国家自然科学基金资助项目(51101012,50971021); 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(FRF-SD-12-011A)
【更新日期】 2013-12-26
【分类号】 O484.1
【正文快照】 1引言各向异性磁电阻(anisotropic magnetoresistance,AMR)薄膜材料可用作测量磁场的磁传感器,和其它磁场传感器如霍尔器件、半导体磁敏电阻相比,AMR传感器具有灵敏度高、体积小、可靠性高、温度特性好以及易于与数字电路匹配等优点。它不仅可以应用于信息处理领域,同时在自动?

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