【摘要】 为了设计低温下的红外探测器CMOS读出电路,实现高性能的红外成像探测技术,需对低温下的CMOS特性曲线进行研究,建立实用的物理仿真模型.本文介绍了CMOS低温建模需要设计的系列化管子,对管子的各种参数进行了测量,并对结果进行了具体分析,研究了CMOS低温77K下的特性曲线,建立了77K下的物理仿真实用模型,利用该模型设计红外探测器CMOS低温电路,通过测试,其仿真结果与低温77K的测试结果拟合度超过90%,验证了低温建模方法的可行性,该方法对特种专用集成电路的设计具有重要意义.更多还原

【Abstract】 For designing Low-temperature CMOS circuit of IR detector and realizing high performance IR imaging,the research in Low-temperature CMOS Characteristic is required.This paper introduced the various designed CMOS transistors and the testing results of parameter of all CMOS transistors in 77K,then analyzing the result of testing and set up a Physics Modeling in 77K.Using this Modeling to design CMOS circuit for IR detector,the testing result is according with the simulation of circuit in 77K,the precision is exceed 90%.更多还原