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含氢碳膜的生长机制:分子动力学模拟研究低能量CH基团的作用  
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【英文篇名】 Growth mechanism of hydrogenated carbon films:molecular dynamics simulations of the effects of low energy CH radical
【下载频次】 ★★★★☆
【作者】 宋青; 吉利; 权伟龙; 张磊; 田苗; 李红轩; 陈建敏;
【英文作者】 Song Qing~(1) ) Ji Li~(2)) Quan Wei-Long~(1)) Zhang Lei~(1)) TianMiao~(1)) Li Hong-Xuan~(2)) Chen Jian-Min~(2)) 1)(School of Mathematics.Physics and Software Engineering; Lanzhou Jiaotong University; Lanzhou 730070; China ) 2)(State Key Laboratory of Solid Lubrication; Lanzhou Institute of Chemical Physics; Chinese Academy of Sciences; Lanzhou 730000; China );
【作者单位】 兰州交通大学数理与软件工程学院; 中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室;
【文献出处】 物理学报 , Acta Physica Sinica, 编辑部邮箱 2012年 03期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 碳膜生长; CH基团; 分子动力学模拟;
【英文关键词】 carbon film growth; CH radical; molecular dynamics simulation;
【摘要】 探索等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术中含氢碳膜的生长机理,制备出常态超润滑含氢碳膜是表面工程技术领域的目标之一.基于REBO势函数,采用分子动力学模拟方法,通过对比研究CH基团在清洁金刚石和吸氢金刚石表面的沉积行为,发现低能量CH基团在清洁金刚石(111)面上的吸附效率大于98%,而在吸氢金刚石(111)面上的吸附效率低1%.结果表明PECVD法制备含氢碳膜时,低能量CH基团对薄膜生长的贡献主要来自于其存表面非饱和IC位置的选择性吸附.
【英文摘要】 Molecular dynamics simulations are carried out to investigate the effect of low energy CH radical on the growth of hydrogenatcd carbon film.The results show that the adsorption rate of CH on clear diamond(111) is about 98%.while on hydrogenated diamond (111) the adsorption rate is lower than 1%.It indicates that the selective adsorption of low energy CH radical at the unsaturated surface C site is the dominated mechanism of the hydrogenated carbon film growth in PECVD.
【基金】 国家自然科学基金(批准号:50705093和50575217); 国家创新团队基金(批准号:50421502); 国家重点基础研究计划(批准号:2007CB607601)资助的课题~~
【更新日期】 2012-03-15
【分类号】 O484.1
【正文快照】 引言含城碳膜是碳膜的一种，它一方面继承着类金刚石膜高硬度的力学特性，另一方面又在真空或者惰性产‘执中展示出了超润滑特性[‘一4!，这种独特的性能使得含氢碳膜在精密机械领域的应用潜力巨大.口前，可以用许多方法来制备含氢碳膜，其中等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术

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