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射频MEMS开关中金属剥离工艺研究

Investigation for Metal Lift-off Process in RF MEMS Switch

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【Author】 CHEN Guang-hong1,WU Qing-xin1,YU Ying2,LUO Zhong-zi3 (1.Department of Electronic Information Engineering,Suzhou Vocational Uiversity,Suzhou 215104,China;2.College of Telecommunications & Information Engineering,Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing 210003,China;3.Pen-Dung Sah MEMS Research Center,Xiamen University,Xiamen 361005,China)

【机构】苏州市职业大学电子信息工程系；南京邮电大学通讯与信息工程学院；厦门大学萨本栋微机电研究中心；

【摘要】研究用BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形,并分析不同侧壁图形的形成机理,找出最佳工艺参数,并应用于射频MEMS开关制作中的金属剥离.更多还原

【Abstract】 The lift-off processes of BP212 positive photoresist(and chlorobenzene treatment) and AZP4620 positive photoresist(and chlorobenzene treatment) were studied.AZ5214E image-reversal photoresist was also studied.Side wall graphics were observed using scanning electron microscope(SEM).The forming mechanism of different lateral wall pattern was analysed.The optimum process parameters were found and used in metal lift-off in RF MEMS switches.更多还原

【关键词】 BP212； AZP4620； AZ5214E；氯苯浸泡；剥离；
【Key words】 BP212； AZP4620； AZ5214E； chlorobenzene treatment； lift-off；

【基金】国家青年基金资助项目(60301006);福建省自然科学基金资助项目(A0310012)

【文献出处】苏州市职业大学学报 ,Journal of Suzhou Vocational University , 编辑部邮箱 ,2012年02期

【分类号】TP211.4
【被引频次】3
【下载频次】410

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