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VDMOS过温保护功能的实现

Realization of Over-Temperature Protection for VDMOS

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【作者】 何建谭开洲徐学良王健安陈光炳刘小龙任敏李泽宏张金平

【Author】 HE Jian1,TAN Kaizhou2,XU Xueliang3,WANG Jian’an3,CHEN Guangbing2,LIU Xiaolong4, REN Min4,LI Zehong4,ZHANG Jinping4(1.Civil Aviation Flight University of China,Guanghan,Sichuan 618307,P.R.China; 2.Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory,Chongqing 400060,P.R.China; 3.Sichuan Institute of Solid-State Circuits,China Electronics Technology Group Corp.,Chongqing 400060,P.R.China; 4.State Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices,Univ.of Elec.Sci.& Technol.of China,Chengdu 610054,P.R.China)

【机构】 中国民航飞行学院模拟集成电路重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

【摘要】 提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件。对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构。仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在温度降回142℃时实现自重启。该温度迟滞功能可有效防止热振荡。

【Abstract】 A vertical double-diffusion MOSFET(VDMOS) integrated with over-temperature protection function was proposed.Mechanism of over-temperature protection was analyzed,and an improved over-temperature protection circuit was presented for power device.Simulation results showed that the proposed device could be turned off at 174 ℃ and restart at 142 ℃.This thermal hysteresis function could effectively prevent the device from thermal oscillation.

【关键词】 VDMOS过热保护可靠性热滞回
【Key words】 VDMOSOver-temperature protectionReliabilityThermal hysteresis
  • 【分类号】TN386.1
  • 【被引频次】2
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