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微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计

Micro-Nanometer CMOS VLSI Circuit Reliability Modeling,Simulation and Design

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【作者】 罗俊； 郝跃； 秦国林； 谭开洲； 王健安； 胡刚毅； 许斌； 刘凡； 黄晓宗； 唐昭焕； 刘勇；

【Author】 LUO Jun1,2,HAO Yue2,QIN Guolin1,TAN Kaizhou3,WANG Jian’an1,HU Gangyi3,XU Bin1,LIU Fan1,HUANG Xiaozong1,TANG Zhaohuan3,LIU Yong1(1.Sichuan Institute of Solid-State Circuits,China Electronics Technology Group Corp.,Chongqing 400060,P.R.China; 2.School of Microelectronics,Xidian University,Xi’an 710071,P.R.China; 3.Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory,Chongqing 400060,P.R.China)

【机构】 中国电子科技集团公司第二十四研究所； 西安电子科技大学微电子学院； 模拟集成电路重点实验室；

【摘要】 介绍了CMOS VLSI的可靠性建模和仿真技术的发展历史、相应的仿真工具、失效机理等效电路和算法,重点总结了当前最新的CMOS超大规模集成电路可靠性建模仿真技术,为促进我国集成电路可靠性设计水平起到积极的作用。

【Abstract】 An overview was made on reliability modeling and simulation of CMOS VLSI circuits.The evolution history,simulation tools,failure mechanism equivalent circuits and algorithms were described.Latest development of technologies for reliability modeling and simulation of CMOS VLSI was summarized in particular.And finally,suggestions were made to improve reliability design level of domestic IC designers.

【关键词】 微纳米CMOS； 超大规模集成电路； 可靠性建模； 可靠性仿真；
【Key words】 Micro-nanometer CMOS； VLSI； Reliability modeling； Reliability simulation；
  • 【分类号】TN47
  • 【被引频次】8
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