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InAs/GaSbⅡ类超晶格与HgCdTe红外探测器的比较研究  
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【英文篇名】 Comparison of TypeⅡ InAs/GaSb Superlattices and HgCdTe Infrared Detectors
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【作者】 余连杰; 邓功荣; 苏玉辉;
【英文作者】 YU Lian-jie1; 2; DENG Gong-rong1; SU Yu-hui1(1.Kunming Institute of Physics; Kunming 650223; China; 2.Science and Technology on Low-light-level Night Vision Laboratory; Xi’an 710065; China);
【作者单位】 昆明物理研究所; 微光夜视技术重点实验室;
【文献出处】 红外技术 , Infrared Technology, 编辑部邮箱 2012年 12期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 InAs/GaSb; HgCdTe; Ⅱ类超晶格; 红外探测器;
【英文关键词】 InAs/GaSb; HgCdTe; type II superlattices; infrared detectors;
【摘要】 HgCdTe、QWIP和InAs/GaSbⅡ类超晶格被公认是第三代红外焦平面探测器的首选。主要对比分析了HgCdTe和InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器,InAs/GaSbⅡ类超晶格具有响应波段宽且精确可控、工作温度高、载流子寿命长、暗电流低和均匀性好等优点,使其在甚长波、多色以及非制冷红外焦平面阵列等方面具有广阔的发展应用前景。
【英文摘要】 The HgCdTe photodiodes,quantum well infrared photodiodes(QWIP)and typeⅡ InAs/GaSb superlattice photodiodes have emerged as the first candidate for third generation infrared detectors.There are many advantages of typeⅡ InAs/GaSb superlattice photodiodes over the HgCdTe photodiodes,for example,a highly adjustable broad spectral response range,higher operating temperature,longer carrier lifetime,lower leakage current and greater uniformity.There will be potential applications in the future for typeⅡ InAs/GaSb ...
【基金】 云南省应用基础研究面上项目,编号:2008CD176
【更新日期】 2013-01-25
【分类号】 TN215
【正文快照】 0引言经过几十年的发展,红外探测器已经从最初的单元、低响应速度的单色探测器发展到目前的大面阵、高性能、高响应速度、高工作温度的多色红外焦平面探测器。目前研制的第三代红外焦平面探测器,主要是HgCdTe探测器和基于AlGaAs/GaAs材料的量子阱(QWIP)红外探测器。HgCdTe红外?

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