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镀镍硅基底上利用化学池沉积法制备二硫化钼膜

Preparation of MoS2 Film on Si Substrate with Ni as Interlayer in Chemical Bath Deposition

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【作者】 魏荣慧杜凯巩晓阳陈庆东李立本杨海滨

【Author】 WEI Rong-Hui1,DU Kai1,GONG Xiao-yang1,CHEN Qing-dong1,LI Li-ben1,YANG Hai-bin2(1.College of Physics and Engineering,Henan University of Science and Technology,Luoyang 471003,China; 2.National Laboratory of Superhard Materials,Jinlin University,Changchun 130012,China)

【机构】 河南科技大学物理与工程学院吉林大学超硬材料国家重点实验室

【摘要】 利用化学池沉积法在化学镀镍的n-Si基底上沉积MoS2薄膜.结果显示,MoS2膜的最佳合成条件为:钼酸铵浓度为10-4 mlo/L,退火温度为850℃.此时,得到具有六角晶形的Ⅱ型膜,MoS2膜晶体尺寸约200nm.没有Ni诱导层的MoS2膜结晶很差,无确定取向.相同条件下,以Ni为诱导层的样品为具有沿[002]取向的Ⅱ型MoS2膜,并且具有较好的六角晶形,说明Ni诱导层对于得到Ⅱ型MoS2膜的重要性.Ni诱导层的影响归于液态S-Ni相的形成并提供的沿[002]方向的生长动力.

【Abstract】 MoS2 film was prepared by chemical bath deposition using Ni interlayer,which was deposited electrolessly on Si substrates.The combined technique of X-ray diffraction and field emission scanning electron microscope(FESEM) were used for characterization of MoS2 films obtained on different conditions.Results indicated that the highly textured type-II MoS2 films oriented with their caxis perpendicular to the plane of Si substrates were obtained at annealing temperature greater than 800 ℃ with Ni Interlayer.The effect of nickel on the orientation of 2H-MoS2 crystallites can be explained on the basis of binary Ni-S phase diagram.This paper offers an easy way to prepare type-II MoS2 film.

【关键词】 化学池沉积MoS2膜Si基底
【Key words】 chemical bath depositionMoS2 filmSi substratesNi
【基金】 国家自然基金项目(10374047);河南省科技厅科技攻关项目(102102210164)
  • 【文献出处】 河南大学学报(自然科学版) ,Journal of Henan University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,2012年06期
  • 【分类号】O614.612;TB383.2
  • 【被引频次】1
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