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非晶CIGS前驱膜无硒退火的相变历程  
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【英文篇名】 Synthesis pathways of CIGS from an amorphous precursor film
【下载频次】 ★★★★
【作者】 闫勇; 张艳霞; 李莎莎; 晏传鹏; 刘连; 张勇; 赵勇; 余洲;
【英文作者】 YAN Yong1; 2; ZHANG Yan-xia1; LI Sha-sha1; YAN Chuan-peng1; LIU Lian1; ZHANG Yong1; ZHAO Yong1; 3; YU Zhou1(1.Superconductivity and New Energy R&D Center; Southwest Jiaotong University; Chengdu 610031; China; 2.Key Laboratory of Advanced Technology of Materials of Ministry of Education; 3.School of Materials Science and Engineering; University of New South Wales; Sydney 2052; Australia);
【作者单位】 西南交通大学超导与新能源研究开发中心; 西南交通大学材料先进技术教育部重点实验室; 新南威尔士大学材料科学与工程学院;
【文献出处】 功能材料 , Journal of Functional Materials, 编辑部邮箱 2012年 21期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
【中文关键词】 退火温度; 射频磁控溅射; CIGS薄膜; 相变历程;
【英文关键词】 annealing temperature; RF magnetron sputtering; CIGS thin films; synthesis pathways;
【摘要】 采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜,研究了不同的真空无硒退火温度(150～350℃)对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外-可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明,室温下制备的CIGS薄膜为非晶态,随退火温度升高发生非晶CIGS→CuSe→CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低,光透过性能最差。退火温度超过200℃便生成CIGS相,CIGS相的结晶质量随退火温度升高而改善,薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。
【英文摘要】 In this paper,copper indium gallium selenium(CIGS) thin films were deposited by RF magnetron sputtering from a single quaternary target without any additional selenization,followed by one-stage annealing at different temperature(150-350℃) in argon vacuum(100Pa).The as-deposited and annealed CIGS thin films were characterized by XRD,SEM,EDS,UV-Vis spectrophotometer,four point probe instrument.Measurement results show that the CIGS thin film exhibit amorphous feature when depositing at room temperature.Phase ...
【基金】 国家自然科学基金资助项目(50588201,50872116); 国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项资助项目(2011GB112001); 四川省基金资助项目(2011JY0031,2011JY0130); 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(SWJTU12CX016,SWJTU11ZT16,SWJTU11ZT31,SWJTU11BR185)
【更新日期】 2012-12-11
【分类号】 TM914.4
【正文快照】 1引言铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池具有光电转化效率高、成本低、性能稳定等优点[1]。其转化效率已达到20.3%[2],接近晶体硅电池[3]。目前,已有多种制备CIGS的方法:三步共蒸发法[4]、金属预制层后硒化法[5]、脉冲激光沉积法[6]、喷涂热解法[7]等,前两种被广泛使用。三步共蒸发

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