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Au/STO/Pt三明治结构阻变存储器性质研究  
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【英文篇名】 Study on the properties of Au/STO/Pt resistance random access memory with a sandwich structure
【下载频次】 ★★★★☆
【作者】 史自鸿; 孙献文; 丁玲红; 张伟风;
【英文作者】 SHI Zihong; SUN Xianwen; DING Linghong; ZHANG Weifeng(Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province; School of Physics and Electronics; Henan University; Kaifeng 475004; Henan Province; China);
【作者单位】 河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室;
【文献出处】 电子元件与材料 , Electronic Components and Materials, 编辑部邮箱 2012年 08期  
期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 SrTiO3(STO)薄膜; 双极性电阻开关; 氧空位;
【英文关键词】 SrTiO3(STO) thin films; bipolar resistive switching; oxygen vacancy;
【摘要】 采用脉冲激光沉积法(PLD)在Pt衬底(Pt/TiO2/SiO2/Si)上制备了SrTiO3(STO)薄膜,并对其表面特性,表面组成和结构进行了研究分析。在此基础上制备了具有三明治结构的Au/STO/Pt阻变器件,并测试了其I-V特性。结果显示:空间电荷限制电流(SCLC)机制对SrTiO3薄膜中氧空位的运输起了决定作用;薄膜界面缺陷对载流子的俘获与去俘获导致了SrTiO3薄膜I-V特性的产生。
【英文摘要】 SrTiO3(STO) thin film was deposited on a Pt(Pt/TiO2/SiO2/Si) substrate by the pulsed laser deposition(PLD) method.The surface morphology,surface composition and crystal structure of the prepared film were studied.An Au/STO/Pt resistive switching device with a sandwich structure was then fabricated and the I-V characteristic of the device was investigated.The results show that the oxygen vacancy movement in the STO film is controlled by the space-charge-limited current(SCLS) mechanism,and the I-V characteris...
【基金】 国家自然科学基金资助项目(No.60976016)
【更新日期】 2012-08-28
【分类号】 TP333
【正文快照】 随着科学技术的进步,半导体制造工艺水平的提高,信息产业得到了快速发展。信息存储作为信息技术的一部分也得到了空前进步,传统意义上的存储器是基于晶体管对电荷的存储而制造的,许多时候无法满足信息技术迅速发展的需要,因此寻找一种高密度、非挥发性、低功耗的下一代存储器已

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