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抗辐射数字电路加固技术研究

Study of the Radiation-hard Ability of Digital Circuits

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【作者】 徐大为徐静肖志强高向东洪根深陈玉蓉周淼

【Author】 XU Da-wei,XU Jing,XIAO Zhi-qiang,GAO Xiang-dong,HONG Gen-shen, CHEN Yu-rong,ZHOU Miao(China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214035,China)

【机构】 中国电子科技集团公司第58研究所

【摘要】 文章对电路抗辐射的机理进行了研究,提出了几种提高数字电路抗辐射能力的方法:通过工艺控制减小辐射后的背栅阈值电压漂移,通过版图增加体接触、采用环型栅等结构提高单元的抗辐射能力,通过对电路关键节点的加固提高整体电路的抗辐射能力。为了验证加固方法的可靠性,设计了一款电路进行抗总剂量、抗瞬态剂量率、抗中子辐射、抗单粒子辐射等多种试验。通过辐照试验结果可以看到,采用抗辐照方法设计的电路具有较强的抗辐照能力,为今后抗辐照电路的研制和开发奠定了坚实的基础。

【Abstract】 In this paper,we studied the mechanism of radiation and offered several optimization methods to improve the radiation-hard ability of digital circuits.According to the research,we decrease threshold voltage excursion by process control,improve the radiation-hard ability by adding body-contact and using round-gate,improve the radiation-hard ability of the key-point.This paper design a digital circuit to validate the radiation-hard method by total dose radiation experiment,trans-radiation experiment,neutron experiment and SEU experiment.According to the experiment results,the radiation-hard ability of the circuit is improved.

【关键词】 抗辐射SOI总剂量
【Key words】 radiation-hardSOItotal dose radiation
  • 【文献出处】 电子与封装 ,Electronics & Packaging , 编辑部邮箱 ,2012年02期
  • 【分类号】TN386
  • 【被引频次】8
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