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SiC电力电子器件对电力系统的影响

Influence of SiC Power Electronic Devices on the Power System

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【作者】 于晶荣曹一家王一军韩华谢慧娟吴伟标

【Author】 Yu Jingrong1,Cao Yijia1,Wang Yijun2,Han Hua2,Xie Huijuan2,Wu Weibiao2 (1.College of Electrical and Information Engineering,Hunan University,Changsha 410082,China; 2.College of Information Science and Engineering,Central South University,Changsha 410083,China)

【机构】 湖南大学电气与信息工程学院中南大学信息科学与工程学院

【摘要】 宽禁带SiC材料被认为是高性能电力电子器件的理想材料,比较了Si和SiC材料的电力电子器件在击穿电场强度、稳定性和开关速度等方面的区别,着重分析了以SiC器件为功率开关的电力电子装置对电力系统中柔性交流输电系统(FACTS)、高压直流输电(HVDC)装置、新能源技术和微电网技术领域的影响。分析表明,SiC电力电子器件具有耐高压、耐高温、开关频率高、损耗小、动态性能优良等特点,在较高电压等级(高于3 kV)或对电力电子装置性能有更高要求的场合,具有良好的应用前景。

【Abstract】 The wide-bandgap SiC is known as an ideal material for the excellent power electronic device.The distinctions of the power electronic devices based on Si and SiC materials are compared in the breakdown electric field strength,stability and switching speed.The influence of the SiC power electronic device as the power switch on the flexible AC transmission systems(FACTS),high-voltage direct current(HVDC) technology,renewable energy technologies and micro grid technology are analyzed.The analysis shows that the SiC power electronic devices are characterized in high voltage resistance,high temperature resistance,high switching frequency,low loss and excellent dynamic performance,and have good application prospects in the higher voltage levels(higher than 3 kV) or the higher requirements for the performances of power electronic devices.

【基金】 教育部高等学校博士学科点专项科研基金新教师项目(20100162120014);长沙市科技攻关资金专项(K1009011-11)
  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2012年08期
  • 【分类号】TN304.24
  • 【被引频次】23
  • 【下载频次】857
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