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纳米ZnO光学性质研究进展  
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【英文篇名】 Research Progress of the Optical Properties for the Nano ZnO
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【作者】 唐斌; 张强; 罗强; 刘忠华; 陈建勇;
【英文作者】 Tang Bin; Zhang Qiang; Luo Qiang; Liu Zhonghua; Chen Jianyong (School of Science; Southwest Petroleum University; Chengdu 610500; China);
【作者单位】 西南石油大学理学院;
【文献出处】 微纳电子技术 , Micronanoelectronic Technology, 编辑部邮箱 2012年 02期  
期刊荣誉:ASPT来源刊  CJFD收录刊
【中文关键词】 ZnO; 光致发光(PL); 喇曼; 透射; 电致发光(EL);
【英文关键词】 ZnO; photoluminescence(PL); Raman; transmission; electroluminescence(EL);
【摘要】 介绍了纳米ZnO常见发光谱的发光机制。在室温光致发光谱(PL)中,一般在380 nm处出现紫外发光,也有报道在357和377 nm处的紫外发光,列举了几种不同的发光解释。对于深能级发光,一般在400~550 nm出现连续的发光带,也有观察到深能级的声子伴线和声子复制现象。在低温光致发光谱的紫外发射中,一般观察到由自由激子发射(FX)、中性施主束缚激子发射(D0X)、施主-受主对跃迁峰(DAP)、中性施主束缚激子对应的双电子卫星峰(TES)以及声子伴线。综述了纳米ZnO的喇曼光谱、透射光谱、电致发光谱(EL)的特征,最后展望了纳米ZnO的光学性能研究前景。
【英文摘要】 The luminescence mechanism of the nano ZnO is introduced.The UV emission commonly exists at about 380 nm in the room temperature photoluminescence(PL) spectrum of the nano ZnO and rare UV emission at 357 and 377 nm is reported,and the luminescence mechanism of which is listed.The continuous luminescence band for the deep level spectroscopy is observed at 400-550 nm ordinarily,and the phonon sideband and replication spectrum are also observed at the deep level spectroscopy.The free exciton emission(FX),neutr...
【基金】 四川省教育厅青年基金项目(10ZB066); 西南石油大学自然科学基金项目(2010XJZ197)
【更新日期】 2012-03-16
【分类号】 TB383.1
【正文快照】 0引言ZnO是一种新型的直接宽带隙半导体材料,属于Ⅱ-Ⅵ族化合物,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,远高于GaN的25 meV,也高于室温的热能26 meV,具有较高的光学增益Micronanoelectronic Technology Vol.49 No.2 February2012(320 cm-1)、能量转换效率以及光响应特性,

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