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磁控溅射法制备的ZnO薄膜光致发光中心漂移现象研究

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【作者】 魏晋军

【机构】 西北师范大学知行学院

【摘要】 利用磁控射频溅射法制备了ZnO薄膜,制备过程中控制不同的氧分压值,并通过采用不同的退火温度获得了系列样品,测定了其光致发光谱。发现样品的主要发光峰位随氧分压增大出现蓝移,随退火温度的升高而发生红移。从导带底到锌缺陷形成的受主能级之间的跃迁可能是产生蓝光发射的原因。

【关键词】 ZnO薄膜退火温度氧分压光致发光
  • 【文献出处】 科技资讯 ,Science & Technology Information , 编辑部邮箱 ,2011年09期
  • 【分类号】O484.1
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