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SOI SONOS EEPROM总剂量辐照阈值退化机理研究

Threshold voltage degradation mechanism of SOI SONOS EEPROM under total-dose irradiation

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【作者】 李蕾蕾于宗光肖志强周昕杰

【Author】 Li Lei-Lei1)4) Yu Zong-Guang1)4) Xiao Zhi-Qiang2)4) Zhou Xin-Jie3) 1)(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) 2)(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) 3)(School of Electronic Science and Engineering, South-East University, Nanjing 210096, China) 4)(The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Wuxi 214035, China)

【机构】 西安电子科技大学微电子学院中国电子科技集团公司第五十八研究所电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室东南大学电子科学与工程学院

【摘要】 阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.

【Abstract】 Threshold voltage drift is one of the most important characteristics of device degradation. Based on the research of threshold drifts of the front and the back gate of SOI SONOS EEPROM, device degradation is studied in irradiation environment. Physical mechanism of threshold drifts is analyzed through physical band and mobile carrier analysis. And measures to improve device performance are proposed.

【关键词】 SONOS EEPROMSOI辐照能带
【Key words】 SONOS EEPROMSOIradiationphysical bands
【基金】 极大规模集成电路制造装备及成套工艺国家科技重大专项(批准号:2009ZX02306-04)资助的课题~~
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2011年09期
  • 【分类号】TN386
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】142
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