单晶硅低能电子束辐照效应-中国学术期刊网络出版总库

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单晶硅低能电子束辐照效应

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【英文篇名】	Radiation Effects on Single-crystal Silicon of Low Energy Electron Beam
【下载频次】	★★★★★
【作者】	高晖; 王和义; 张华明; 黄利斌; 何小波; 周银行;
【英文作者】	GAO Hui; WANG He-yi; ZHANG Hua-ming; HUANG Li-bing; HE Xiao-bo; ZHOU Yin-hang (Institute of Nuclear Physics and Chemistry; China Academy of Engineering Physics; Mianyang 621900; China);
【作者单位】	中国工程物理研究院核物理与化学研究所;
【文献出处】	材料科学与工程学报 , Journal of Materials Science and Engineering, 编辑部邮箱 2011年 02期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	低能电子束; 单晶硅; 能量沉积; 辐照效应;
【英文关键词】	low energy electron beam; single-crystal silicon; energy deposition; radiaton effect;
【摘要】	利用Monter-Carlo方法,模拟低能一维平面电子束在本征、不同掺杂类型、掺杂浓度下的单晶Si中能量沉积分布情况。采用电子顺磁共振(EPR)技术测量了(111)晶向、两种掺杂类型下的掺杂浓度分别为1×1015cm-3、1×1017cm-3的单晶硅片在一定电子注量下辐照前后缺陷顺磁吸收谱,比较了样品辐照前后缺陷顺磁中心强度的变化,并用X光电子能谱(XPS)对Si-SiO2系统原子化学态的变化进行分析。结果表明,相比于P型Si,N型Si、特别是高掺杂的N型Si,在低能电子一定注量下,界面区内易引起辐射感生缺陷,主要来自于键合于磷的非桥联氧对空穴的诱捕作用,表现为POHC中心明显的变化,P2P芯能级谱突变。并根据理论和实验结果,对电子能量沉积、电离缺陷和辐照效应间的相互关系进行了分析。
【英文摘要】	The energy deposition for electron beam with low energy on Si specimens was calculated by Monter-Carlo method.Making use of electron paramagnetic resonance(EPR) technique,the investigation of the effects of EPR signal variations in dopant type and concentration was carried out by using P-type and N-type(111) silicon wafers with concentrations of 1×10~15cm~-3 and 1×10~17cm~-3,respectively,before and after the irradiation of electrons,and the intensities of defect paramagnetic centers before and after irradia...
【更新日期】	2011-05-05
【分类号】	TN304.12
【正文快照】	1引言微型机械电子系统(MEMS)是一个快速发展的领域,它将带来许多革命性的变革,比如微机械扫描隧道显微镜,精微探测器等,在这些研究中存在一个共同的瓶颈,缺乏一个能集成化的微能源。而基于β辐伏效应微能源可以很好地解决MEMS系统的能源问题,目前β辐伏效应微能源的研制已成为

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