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高温高压下Fe-Ni-C系合成金刚石单晶的机理研究(下)
Mechanism of synthesizing diamond single crystal from Fe-Ni-C system under high-temperature and high-pressure
【摘要】 2金属包覆膜物相结构的系统表征[16]2.1金属包覆膜的形成片状工艺中金刚石在触媒与碳片界面处形核,优先向碳源充足的碳片一侧生长,生长前端总是包覆着一层金属熔体。合成结束断电卸压,压块温度骤降,这层金属熔体冷却成为包覆在金刚石单晶外的包膜,厚度约为几微米到几十微米,如图8所示[17]。图8金刚石晶体的生长界面示意图F ig.8 Schem atic d iagram of form ationin terface of d iam ond s ing le crysta l毋庸置疑,高温高压呈熔融态的金属包覆膜是碳进入金刚石的主要通道,经过合成结束后的淬火过程,大量高温高压下金刚石形成的微观信
【关键词】 人造金刚石;
合成机理Fe-Ni-C系;
固体分子经验电子理论;
高温高压;
【Key words】 synthetic diamond; synthesizing mechanism; Fe-Ni-C catalytic system; EET; high-temperature and high-pressure(HTHP);
【Key words】 synthetic diamond; synthesizing mechanism; Fe-Ni-C catalytic system; EET; high-temperature and high-pressure(HTHP);
【基金】 国家自然科学基金(No.50772060、50372035、50371048);山东省自然科学基金(No.Y2007F12)
- 【文献出处】 超硬材料工程 ,Superhard Material Engineering , 编辑部邮箱 ,2010年03期
- 【分类号】TQ164
- 【被引频次】2
- 【下载频次】161