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二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用

Light intensity distribution in laser interference crystallization and the fabrication of two-dimensional periodic nanocrystalline silicon array

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【作者】 严敏逸王旦清马忠元姚尧刘广元李伟黄信凡陈坤基徐骏徐岭

【Author】 Yan Min-Yi Wang Dan-Qing Ma Zhong-Yuan Yao Yao Liu Guang-Yuan Li Wei Huang Xin-Fan Chen Kun-Ji Xu Jun Xu Ling (National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics,Nanjing University,Nanjing 210093,China)

【机构】 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室

【摘要】 从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.

【Abstract】 Based on the general form of Fresnel diffraction,light intensity distribution in laser interference crystallization with a phase shifting grating mask (PSGM) was calculated. Two-dimensional (2D) periodic nanocrystalline silicon (nc-Si) array was fabricated by laser interference crystallization combined with 2D-PSGM. The light intensity irradiated on the surface of a-Si:H samples can be modulated by the PSGM with the periodicity of 400 nm. Experimental results demonstrate that the periodicity of 2D nc-Si array is the same as that of the PSGM,the crystalline regions of nc-Si array are consistant with the simulated results.

【基金】 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB932202);江苏省自然科学基金(BK2007135);国家高技术研究发展计计划(批准号:2008AA031403)资助的课题~~
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2010年05期
  • 【分类号】O436.1
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】120
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