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S波段88W SiC MESFET推挽放大器研究

Study on S-Band 88W SiC MESFETs Push-Pull Amplifier

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【作者】 默江辉李亦凌王勇潘宏菽李亮陈昊蔡树军

【Author】 MO Jiang-hui1,2,LI Yi-ling1,WANG Yong1,2,PAN Hong-shu1,2,LI Liang1,2,CHEN Hao1,2,CAI Shu-jun1,2(1.The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051,China;2.National Key Lab.of ASIC,Shijiazhuang 050051,China)

【机构】 中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室

【摘要】 采用管壳内预匹配及外电路匹配相结合的方法,制作成功S波段高增益、高效率、大功率SiC MESFET推挽放大器。采用预匹配技术提高了器件输入、输出阻抗,优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性。放大器在脉宽为300μs、占空比为10%脉冲测试时,频率2GHz,Vds=50V脉冲输出峰值功率为88.7W(49.5dBm),功率增益为8.1dB,峰值功率附加效率为30.4%。

【Abstract】 A high gain,high efficiency and high power SiC MESFETs amplifier with internal pre-matched and external matched circuits is developed.The input and output impendences are increased by using the pre-matched circuits.The test circuit was optimized to eliminate the effect on the Vgs from the input signal.The amplifier showed a peak output power of 88.7W(49.5dBm)with a large signal gain of 8.1 dB and a power added efficiency of 30.4% at 2GHz,Vds=50V,300μs pulse width and 10% duty cycle.

【关键词】 SiC MESFET预匹配推挽放大器
【Key words】 SiC MESFETPre-matchedPush-pull amplifier
  • 【文献出处】 微波学报 ,Journal of Microwaves , 编辑部邮箱 ,2010年02期
  • 【分类号】TN722
  • 【被引频次】4
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