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CMOS集成电路闩锁效应抑制技术综述

Overview on Latch-up Restrain Technology in CMOS IC

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【作者】 董丽凤李艳丽王吉源

【Author】 Dong Lifeng Li Yanli Wang Jiyuan(Jiangxi University of Science and Technology,Jiangxi Ganzhou 341000)

【机构】 江西理工大学信息工程学院

【摘要】 闩锁效应是CMOS集成电路在实际应用中失效的主要原因之一,本文从CMOS集成电路工艺结构出发,详细地分析了闩锁效应的形成机理,并从版图和工艺设计两方面总结了几种抑制闩锁效应的关键技术。

【Abstract】 Latch-up is one of main cause that CMOS IC becomes invalid in application,the paper analyzed the mechanism of latch-up in detail,and sums up several kinds of key technology to prevent latch-up from layout and technics design.

【关键词】 CMOS集成电路闩锁效应可控硅抑制
【Key words】 CMOS ICLatch-upSCRRestrain
  • 【分类号】TN432
  • 【被引频次】5
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