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CMOS集成电路闩锁效应抑制技术综述
Overview on Latch-up Restrain Technology in CMOS IC
【摘要】 闩锁效应是CMOS集成电路在实际应用中失效的主要原因之一,本文从CMOS集成电路工艺结构出发,详细地分析了闩锁效应的形成机理,并从版图和工艺设计两方面总结了几种抑制闩锁效应的关键技术。
【Abstract】 Latch-up is one of main cause that CMOS IC becomes invalid in application,the paper analyzed the mechanism of latch-up in detail,and sums up several kinds of key technology to prevent latch-up from layout and technics design.
- 【文献出处】 科技广场 ,Science Mosaic , 编辑部邮箱 ,2010年03期
- 【分类号】TN432
- 【被引频次】5
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